[发明专利]碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法

权利要求书

1.一种在基材12上形成导电氧化物层14的方法，所述方法包括：

在基材12上从靶材溅射透明导电氧化物层14，其中所述靶材包括锡酸镉，且其中所述透明导电氧化物层14在约10℃至约100℃的溅射温度下溅射；和

在约500℃至约700℃的退火温度下，在包含镉的退火气氛中退火所述透明导电氧化物层14。

2.权利要求1的方法，其中所述退火气氛包含有机镉气体。

3.权利要求2的方法，其中所述有机镉气体包括二甲基镉。

4.前述权利要求中任一项的方法，还包括：

加热金属镉源以向所述退火气氛提供镉气体。

5.权利要求4的方法，其中加热金属镉源到达低于所述退火温度的源温度。

6.权利要求5的方法，其中所述源温度比所述退火温度低约50℃至约100℃。

7.前述权利要求中任一项的方法，其中所述退火气氛有约50毫托至约1000托的压力。

8.前述权利要求中任一项的方法，其中镉占所述退火气氛体积的约1％至约50％。

9.前述权利要求中任一项的方法，其中镉占所述退火气氛体积的约0.1％至约25％。

10.前述权利要求中任一项的方法，其中所述退火气氛还包含还原气体。

11.权利要求10的方法，其中所述还原气体包括硫化氢、氢气或者其混合物。

12.前述权利要求中任一项的方法，其中所述退火温度为约550℃至约650℃。

13.前述权利要求中任一项的方法，其中所述透明导电氧化物层14退火约30秒至约20分钟。

14.一种制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

根据前述权利要求中任一项的方法在基材12上形成导电氧化物层14；

在所述导电氧化物层14之上形成硫化镉层18；和

在所述硫化镉层18之上形成碲化镉层20。

15.权利要求14的方法，还包括：

在形成硫化镉层18之前，在透明导电氧化物层14上形成电阻的透明缓冲层16。