[发明专利]表面声波器件、表面声波振荡器以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及表面声波器件、搭载有该表面声波器件的表面声波振荡器以及电子设备，尤其涉及频率温度特性良好的表面声波器件、搭载有该表面声波器件的表面声波振荡器以及电子设备。

背景技术

在表面声波(SAW：surface acoustic wave)器件(例如SAW谐振器)中，SAW的阻带(stopband)、石英基板的切角以及IDT(interdigital transducer：叉指换能器)的形成方式等对频率温度特性的变化影响很大。

例如，在专利文献1中，公开了SAW的阻带的上端模式和下端模式各自的进行激励的结构以及阻带的上端模式和下端模式各自的驻波分布等。

另外，在专利文献2～5中记载了如下情况：SAW的阻带上端模式的频率温度特性优于阻带下端模式。并且，在专利文献2、3中记载了如下情况：在利用了瑞利波的SAW装置中，为了获得良好的频率温度特性，对石英基板的切角进行调整，并且将电极的基准化膜厚(H/λ)增厚到0.1左右。

并且，在专利文献4中记载了如下情况：在利用了瑞利波的SAW装置中，对石英基板的切角进行调整，并且使电极的基准化膜厚(H/λ)加厚0.045以上。

此外，在专利文献5中记载了如下情况：通过采用旋转Y切X传播的石英基板并利用阻带上端的谐振，由此，与利用阻带下端的谐振的情况相比，频率温度特性提高。

此外，在专利文献6以及非专利文献1中记载了如下情况：在使用ST切石英基板的SAW器件中，在构成IDT的电极指之间以及构成反射器的导体带(strip)之间设有槽(Groove)。另外在非专利文献1中，记载了频率温度特性随槽的深度而变化的情况。

另外，在专利文献7中，记载了在采用LST切石英基板的SAW器件中用于使表示频率温度特性的曲线成为三次曲线的结构，并且还记载了如下情况：在使用瑞利波的SAW器件中，未发现具有由三次曲线表示的温度特性的切角的基板。

【专利文献1】日本特开平11-214958号公报

【专利文献2】日本特开2006-148622号公报

【专利文献3】日本特开2007-208871号公报

【专利文献4】日本特开2007-267033号公报

【专利文献5】日本特开2002-100959号公报

【专利文献6】日本特开昭57-5418号公报

【专利文献7】日本特许第3851336号公报

【非专利文献1】グル一プ形SAW共振器の製造条件と特性(電子通信学会技術研究報告MW82-59(1982))

如上所述，用于改善频率温度特性的要素有很多，尤其在利用了瑞利波的SAW器件中，认为增加构成IDT的电极的膜厚是改善频率温度特性的要因之一。但是，本申请的发明人在实验中发现，当增加了电极的膜厚时，老化特性及耐温度冲击特性等耐环境特性发生劣化。另外，在以改善频率温度特性为主要目的的情况下，如前所述必需增加电极膜厚，与此相伴，无法避免老化特性及耐温度冲击特性等的劣化。这对于Q值也是适用的，因此很难在不增加电极膜厚的情况下实现高Q化。

发明内容

因此，在本申请发明中，提供表面声波器件、表面声波振荡器以及电子设备时的课题在于实现良好的频率温度特性。

本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。

[应用例1]一种表面声波器件，其特征在于，具有IDT，该IDT被设置在以下三种石英基板中的任意一者的主面上，激励出阻带上端模式的表面声波，所述三种石英基板是：第1石英基板，其欧拉角为第2石英基板，其欧拉角为以及第3石英基板，其欧拉角

如果是具有这种特征的表面声波器件，则能够得到良好的频率温度特性。

[应用例2]根据应用例1所述的表面声波器件，其特征在于，该表面声波器件具有使位于构成所述IDT的电极指之间的基板凹陷而形成的电极指间槽。

通过形成电极指间槽，能够抑制电极膜厚的厚膜化。因此，能够抑制因电极的结构材料引起的特性劣化。

[应用例3]根据应用例1或应用例2所述的表面声波器件，其特征在于，在使用了所述第1至第3石英基板中的任意一者的情况下，将所述IDT的线占有率η设为：

0.49≤η≤0.70。

通过设为这种结构，由此，能够使表示表面声波器件的频率温度特性的曲线的多项式近似中的作为二次系数的二次温度系数β成为β＝±0.010ppm/℃²的范围。