[发明专利]铕掺杂钒酸锶发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件

权利要求书

1.一种铕掺杂钒酸锶发光薄膜，其特征在于，该发光薄膜的化学通式为Sr_3-x(VO₄)₂:xEu³⁺；其中，Sr_3-x(VO₄)₂为基质，Eu为掺杂元素，x的取值范围为0.005～0.015。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂钒酸锶发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.01。

3.一种铕掺杂钒酸锶发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，按照质量百分比55～70％、0.008～0.023％、29.992～44.977％，分别称取SrO、Eu₂O₃和V₂O₅粉体，经过研磨混合均匀后，在900～1300℃下烧结，制成靶材；

步骤S2，将步骤S1中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；

步骤S4，将步骤S3得到的薄膜样品于500～800℃下真空退火处理1～3h，得到化学通式为Sr_3-x(VO₄)₂:xEu³⁺的所述铕掺杂钒酸锶发光薄膜；其中，Sr_3-x(VO₄)₂为基质，Eu为掺杂元素，x的取值范围为0.005～0.015。

4.根据权利要求3所述的铕掺杂钒酸锶发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，当SrO、Eu₂O₃和V₂O₅粉体的质量百分比分别为63％、0.015％和36.985％时，相应地，步骤S4中，x的取值为0.01。

5.根据权利要求3或4所述的铕掺杂钒酸锶发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1250℃。

6.根据权利要求3所述的铕掺杂钒酸锶发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述真空腔体的真空度设置在5.0×10^-4pa。

7.根据权利要求3所述的制铕掺杂钒酸锶发光薄膜的备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为500℃。

8.根据权利要求3所述的铕掺杂钒酸锶发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述真空退火处理中的退火温度为600℃，退火时间为2h。

9.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为复合层状结构，该复合层状结构依次为衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层为铕掺杂钒酸锶发光薄膜，该发光薄膜的化学通式为Sr_3-x(VO₄)₂:xEu³⁺；其中，Sr_3-x(VO₄)₂为基质，Eu为掺杂元素，x的取值范围为0.005～0.015。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，x的取值为0.01。