[发明专利]高压启动电路有效
申请号: | 201110245337.5 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102377327A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | R·A·邓尼佩斯 | 申请(专利权)人: | 美国快捷半导体有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王洪斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 启动 电路 | ||
1.一种用于电源的启动电路,该启动电路包括:
耦合在电压源与第一节点之间的电阻;
耦合到第一节点的第一电容器,该第一电容器可操作来通过流经电阻的电流充电;
第一晶体管,具有发射极、基极和集电极,其中集电极耦合到电压源并且基极耦合到第一节点;
耦合到第一晶体管的发射极的二端交流开关电路,该二端交流开关电路可操作来激发以接通第一晶体管,从而允许第一电容器通过第一晶体管的基极-发射极结放电;以及
第二电容器,可操作来通过与由二端交流开关电路的激发引起的放电电压有关的电流充电,该第二电容器可操作来存储电荷以向电源的控制器提供VCC电压。
2.权利要求1的启动电路,包括第二晶体管,一旦VCC电压足以启动电源的控制器,则该第二晶体管可操作来分流第一电容器的充电电流。
3.权利要求1的启动电路,包括第二晶体管和二极管,一旦VCC电压足以操作控制器,则该第二晶体管和二极管可操作来对第一电容器放电,使得第一晶体管的基极处的电压不升高到使二端交流开关电路导通的电平。
4.权利要求1的启动电路,包括第二晶体管,一旦VCC电压足以启动电源的控制器,则该第二晶体管可操作来分流第一电容器的充电电流。
5.权利要求1的启动电路,其中电阻包括多个串联耦合的电阻器。
6.一种用于提供偏置电压的启动电路,该启动电路包括:
耦合在电压源与第一节点之间的电阻;
耦合到第一节点的第一电容器,该第一电容器可操作来通过流经电阻的电流充电;
第一晶体管,具有第一端子、第二端子和控制端子,其中第一端子耦合到电压源并且控制端子耦合到第一节点;
耦合到第一晶体管的第二端子的二端交流开关电路,该二端交流开关电路可操作来激发以接通第一晶体管,从而允许第一电容器通过第一晶体管的控制端子-第二端子结放电;以及
第二电容器,可操作来通过与由二端交流开关电路的激发引起的放电电压有关的电流充电,该第二电容器可操作来存储电荷以提供偏置电压。
7.权利要求6的启动电路,包括第二晶体管,一旦偏置电压足够,则该第二晶体管可操作来分流第一电容器的充电电流。
8.权利要求6的启动电路,包括第二晶体管和二极管,一旦偏置电压足够,则该第二晶体管和二极管可操作来对第一电容器放电,使得第一晶体管的控制端子处的电压不升高到使二端交流开关电路导通的电平。
9.权利要求6的启动电路,其中电阻包括多个串联耦合的电阻器。
10.权利要求6的启动电路,其中第一晶体管包括双极结晶体管并且第一端子包括集电极,第二端子包括发射极,并且控制端子包括基极。
11.权利要求6的启动电路,其中第一晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管并且第一端子包括漏极,第二端子包括源极,并且控制端子包括栅极。
12.一种电源,包括:
耦合在电压源与第一节点之间的电阻;
耦合到第一节点的第一电容器,该第一电容器可操作来通过流经电阻的电流充电;
第一晶体管,具有第一端子、第二端子和控制端子,其中第一端子耦合到电压源并且控制端子耦合到第一节点;
耦合到第一晶体管的第二端子的二端交流开关电路,该二端交流开关电路可操作来激发以接通第一晶体管,从而允许第一电容器通过第一晶体管的控制端子-第二端子结放电;以及
第二电容器,可操作来通过与由二端交流开关电路的激发引起的放电电压有关的电流充电,该第二电容器可操作来存储电荷以提供电源电压。
13.权利要求12的电源,包括第二晶体管,一旦第二电容器的电压对于电源电压是足够的,则该第二晶体管可操作来分流第一电容器的充电电流。
14.权利要求12的电源,包括用于调节电源电压的调节器。
15.权利要求14的电源,其中调节器包括第二晶体管、齐纳二极管和电阻器。
16.权利要求12的电源,包括第二晶体管和二极管,一旦第二电容器的电压对于电源电压是足够的,则该第二晶体管和二极管可操作来对第一电容器放电,使得第一晶体管的控制端子处的电压不升高到使二端交流开关电路导通的电平。
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