[发明专利]适应用于无源UHFRFID标签芯片的带隙基准电路

权利要求书

1.一种适应用于无源UHF RFID标签芯片的带隙基准电路，包括：

正温度系数电路(301)，它由2个PMOS管(306，307)、2个NMOS管(309，310)、运算放大器(308)和电阻(311)连接组成，用于产生正温度系数电流的偏置电压，并输出正偏信号B_P分别给负温度系数电路(302)和基准电压输出电路(303)；

负温度系数电路(302)，包括：2个PMOS管(314，317)、BJT管(315)、运算放大器(316)和电阻(318)，用于产生负温度系数电流的偏置电压，并输出负偏信号B_C给基准电压输出电路(303)；第一PMOS管(314)的漏极接BJT管(315)的发射极，为该BJT管提供偏置电流；BJT管(315)的基极与集电极接地，该BJT管(315)的基极与射极产生基射极电压V_be送入运算放大器(316)的同相输入端；电阻(318)、第二PMOS管(317)和运算放大器(316)构成负反馈电路，使得电阻(318)两端的电压差值为与基射极电压V_be相等；

基准电压输出电路(303)，它由2个PMOS管(312，313)和电阻(319)连接组成，用于将正偏电压B_P和负偏电压B_C分别转换成为正温度系数电流I_P和负温度系数电流I_C，并对I_P和I_C求和，产生零温度系数基准电压：

Vref=(α*nVT1R311ln(S306S307*S310S309)+β*VBE315R318)R319]]>

其中，n为比例常数，V_T为热电势，S₃₀₆，S₃₀₇，S₃₀₉，S₃₁₀分别为PMOS管306，PMOS管307和NMOS管309和310的栅宽和栅长之比，R₃₁₁为电阻311的阻值，R₃₁₈为电阻318的阻值，R₃₁₉为电阻319的阻值，V_be为BJT管315的基射极电压，α为PMOS管312和PMOS管307的尺寸之比，β为PMOS管313和PMOS管317的尺寸之比。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于所述的电阻(318)、第二PMOS管(317)和运算放大器(316)构成负反馈电路，是将运算放大器(316)输出负偏信号B_C连接到第二PMOS管(317)的栅极，该PMOS管(317)的漏极与电阻(318)相连，并将电阻(318)的电压信号反馈回运算放大器(316)的反相输入端。