[发明专利]用于半导体器件的伸长凸块结构无效
| 申请号： | 201110244329.9 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102629597A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郭庭豪;陈玉芬;陈承先;余振华;吴胜郁;庄其达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L23/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 伸长 结构 | ||
1.一种半导体结构，包括：
基板，包括导电焊盘；
介电层，位于所述基板上方，所述介电层中具有开口，所述介电层位于所述导电焊盘的至少一部分上方；以及
凸块结构，与所述导电焊盘电接触，从所述凸块结构的边缘到所述开口的边缘与所述凸块结构的长度的比率大于或者等于0.2。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述凸块结构是伸长的；或者
所述开口不位于所述凸块结构的中心；或者
所述开口从所述凸块结构的长轴偏移。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述开口从所述凸块结构的短轴偏移，并且所述开口向远离最接近的芯片边缘的方向偏移；或者
所述开口是伸长的。
4.一种半导体结构，包括：
基板，包括导电焊盘；
介电层，位于所述基板上方，所述介电层中的开口将所述导电焊盘的至少一部分暴露出来；以及
凸块结构，与所述导电焊盘电接触，所述凸块结构沿着所述凸块结构的长轴具有长度L，外部距离do限定为在芯片边缘的方向上从所述开口的边缘到所述凸块结构的第一边缘，沿着所述凸块结构的长轴的距离，所述外部距离do与所述长度L的比率大于或者等于0.2。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述凸块结构是伸长的；或者
内部距离di限定为从所述开口的边缘到所述凸块结构的第二边缘，沿着所述凸块结构的长轴的横向距离，所述第二边缘与所述第一边缘是相对边缘，所述内部距离di小于所述外部距离do；或者
所述开口从所述凸块结构的长轴偏移。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述开口从所述凸块结构的短轴偏移，并且所述开口向远离最接近的芯片边缘的方向偏移；或者
所述开口是伸长的。
7.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
形成具有导电焊盘的基板，所述基板具有最上方介电层，所述最上方介电层具有开口，所述开口将所述导电焊盘的至少一部分暴露出来；以及
在所述介电层上方形成凸块结构，所述凸块结构延伸到所述开口中，并且与所述导电焊盘电接触，从所述凸块结构的边缘到所述开口的边缘的距离与所述凸块结构的长度的比率大于或者等于0.2。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述凸块结构是伸长的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述凸块结构具有短轴和长轴，所述开口从所述凸块结构的所述长轴偏移；或者
所述凸块结构具有短轴和长轴，所述开口从所述凸块结构的所述短轴偏移。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述开口是伸长的；或者
所述形成凸块结构的步骤包括：形成柱状结构，以及在所述柱状结构上形成焊接材料。
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