[发明专利]具有低反射率连接桥的单片式电容触摸屏及其制造方法

权利要求书

1.一种具有低反射率连接桥的单片式电容触摸屏，包括一基板和设置在基板内侧的感测电极层，感测电极层包括一图形化透明导电膜，以及与图形化透明导电膜相结合的跳线结构，其特征是：

所述图形化透明导电膜包括：

多个第一电极队列，每个第一电极队列由多个第一电极块按第一方向排列而成；在每两个相邻的第一电极队列之间定义出的第二电极队列配置区；多个第二电极队列，每个第二电极队列由多个设置在第二电极队列配置区的第二电极块按不同于第一方向的第二方向排列而成；

所述跳线结构包括：

底部连接、绝缘垫块和跳线连接；底部连接附着在所述基板上；绝缘垫块设于底部连接的内侧；跳线连接跨过绝缘垫块，并与底部连接交叉设置；

跳线结构设置在每个第一电极队列与第二电极队列的交错位置；同一第一电极队列的相邻两个第一电极块通过底部连接相互连接；相应的第二电极队列的相邻两个第二电极块通过跳线连接相互连接；

底部连接或跳线连接的其中一个由透明导电膜形成，另外一个则是由金属膜形成的金属连接桥；

还包括低反射率膜层，低反射率膜层设置在金属连接桥上靠近所述基板的一侧。

2.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征是：所述低反射率膜层具有与金属连接桥重合的图案。

3.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征是：所述低反射率膜层的厚度为50～500nm。

4.如权利要求1所述的电容触摸屏，其特征是：还包括周边线路、遮掩层和图案层；周边线路设置在第一电极队列和第二电极队列的周边，周边线路由形成金属连接桥的金属膜形成；遮掩层、图案层设置在周边线路的外侧。

5.如权利要求1～4任一项所述的电容触摸屏，其特征是：所述金属连接桥为底部连接，所述低反射率膜层夹置于金属膜与基板之间。

6.如权利要求1～4任一项所述的电容触摸屏，其特征是：所述金属连接桥为跳线连接；在金属连接桥的两端，所述低反射率膜层夹置于金属膜与透明导电膜之间，在金属连接桥的中间，所述低反射率膜层夹置于金属膜与绝缘垫块之间。

7.如权利要求6所述的电容触摸屏，其特征是：所述金属连接桥采用导电性能良好的材料。

8.如权利要求5所述的具有低反射率连接桥的单片式电容触摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一、在基板内侧依次沉积低反射率膜层和金属膜；

步骤二、对金属膜和低反射率膜层进行图形化，金属膜形成金属连接桥和周边线路，并且使得低反射率膜层的图案与金属连接桥和周边线路的图案相重叠；

步骤三、在金属膜的内侧涂布绝缘层，并且对绝缘层进行图形化，形成每个跳线结构的绝缘垫块；

步骤四、沉积透明导电膜，并对透明导电膜进行图形化，形成第一电极队列、第二电极队列和跳线连接。

9.如权利要求6所述的具有低反射率连接桥的单片式电容触摸屏的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一、在基板内侧沉积透明导电膜，并对透明导电膜进行图形化，形成第一电极队列、第二电极队列和底部连接。

步骤二、在透明导电膜的内侧涂布绝缘层，并且对绝缘层进行图形化，形成每个跳线结构的绝缘垫块；

步骤三、在基板内侧依次沉积低反射率膜层和金属膜；

步骤四、对金属膜和低反射率膜层进行图形化，金属膜形成金属连接桥和周边线路，并且使得低反射率膜层的图案与金属连接桥和周边线路的图案相重叠。