[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201110242631.0 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN102376540A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 基村雅洋;小路丸友则;江本哲也;奥谷学;尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
将疏水剂供给至基板来使所述基板的表面疏水化的疏水化工序;
在所述疏水化工序之后进行来使所述基板干燥的干燥工序;
从所述疏水化工序结束之后到所述干燥工序结束为止,将所述基板保持为不与水接触的状态的工序。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,所述基板是具有金属膜的基板。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,所述疏水化工序包括将所述疏水剂的液体供给至所述基板的工序,
所述基板处理方法还包括干燥前清洗工序,该干燥前清洗工序在所述疏水化工序之后且在所述干燥工序之前进行,将能够使所述疏水剂溶解且表面张力比水的表面张力小的溶剂供给至所述基板。
4.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其特征在于,所述疏水化工序包括将所述疏水剂的蒸汽供给至所述基板的蒸汽供给工序,
所述干燥工序包括使在所述基板上附着的所述疏水剂蒸发的蒸发工序。
5.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,用于保持基板;
疏水剂供给单元,用于向保持于所述基板保持单元上的基板供给疏水剂;
干燥单元,用于使基板干燥;
控制装置,所述控制装置通过控制所述疏水剂供给单元,进行将疏水剂供给至保持于所述基板保持单元上的基板来使所述基板的表面疏水化的疏水化工序;所述控制装置通过控制所述干燥单元,在所述疏水化工序之后,进行使所述基板干燥的干燥工序;所述控制装置从所述疏水化工序结束之后到所述干燥工序结束为止,进行将所述基板保持为不与水接触的状态的工序。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
还包括溶剂供给单元,该溶剂供给单元向保持于所述基板保持单元上的基板供给能够使所述疏水剂溶解且表面张力比水的表面张力小的溶剂,
所述疏水剂供给单元包括向保持于所述基板保持单元上的基板供给所述疏水剂的液体的单元,
所述控制装置通过控制所述疏水剂供给单元进行所述疏水化工序,所述疏水化工序包括向保持于所述基板保持单元上的基板供给所述疏水剂的液体的工序;所述控制装置通过控制所述溶剂供给单元,在所述疏水化工序之后且所述干燥工序之前,进行向保持于所述基板保持单元上的基板供给所述溶剂的干燥前清洗工序。
7.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,所述疏水剂供给单元包括向保持于所述基板保持单元上的基板供给所述疏水剂的蒸汽的单元,
所述控制装置通过控制所述疏水剂供给单元进行所述疏水化工序,所述疏水化工序包括向保持于所述基板保持单元上的基板供给所述疏水剂的蒸汽的蒸汽供给工序;所述控制装置通过控制所述干燥单元进行所述干燥工序,,所述干燥工序包括使在保持于所述基板保持单元上的基板上附着的所述疏水剂蒸发的蒸发工序。
8.一种基板处理方法,处理形成有金属膜的基板,其特征在于,包括:
清洗液供给工序,将含有水的清洗液供给至基板;
第一溶剂供给工序,在所述清洗液供给工序之后进行,通过将不含羟基的第一溶剂供给至基板,来将在基板上保持的液体置换为第一溶剂;
疏水剂供给工序,在所述第一溶剂供给工序之后进行,通过将含有第二溶剂且用于使金属疏水化的疏水剂供给至基板,来将在基板上保持的液体置换为疏水剂,其中,所述第二溶剂不含羟基。
9.如权利要求8所述的基板处理方法,其特征在于,还包括水溶性溶剂供给工序,该水溶性溶剂供给工序在所述清洗液供给工序之后且所述第一溶剂供给工序之前进行,通过将水溶性溶剂供给至基板,来将在基板上保持的液体置换为水溶性溶剂,所述水溶性溶剂对水的溶解度高于第一溶剂对水的溶解度。
10.如权利要求8或9所述的基板处理方法,其特征在于,所述第一溶剂供给工序包括物理置换工序,在该物理置换工序中,通过将施加有物理力的第一溶剂供给至基板,来将在基板上保持的液体置换为第一溶剂。
11.如权利要求10所述的基板处理方法,其特征在于,所述第一溶剂供给工序还包括置换工序,该置换工序在所述物理置换工序之前进行,通过将第一溶剂供给至基板,来将在基板上保持的液体置换为第一溶剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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