[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110242462.0 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102956557A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;邓浩;张彬;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有位于NMOS区域的第一栅极和位于PMOS区域的第二栅极；
b）在所述NMOS区域和所述PMOS区域形成侧墙氧化物层和位于所述侧墙氧化物层上的高应力氮化物层；
c）在所述PMOS区域的高应力氮化物层中掺杂锗；
d）对所述高应力氮化物层进行刻蚀，以在所述第一栅极和所述第二栅极的两侧形成侧墙；以及
e）执行退火工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步骤提供的所述半导体衬底中，在所述第一栅极和所述第二栅极的两侧分别形成有浅掺杂区。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述d）步骤之后还包括离子注入步骤，以在所述第一栅极和所述第二栅极两侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高应力氮化物层所具有的应力为张应力。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，张应力的大小为500-1600兆帕。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高应力氮化物层的厚度为200-600埃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤包括：
在所述NMOS区域上形成光刻胶层，以覆盖所述NMOS区域的所述高应力氮化物层；
在所述NMOS区域和所述PMOS区域进行注入工艺，以在所述PMOS区域的高应力氮化物层中掺杂锗；以及
去除所述光刻胶层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述注入工艺中注入的所述锗的剂量为2×1014-5×1014/平方厘米。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述注入工艺的注入能量为100-120KeV。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为500-1000oC。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺所使用的气体为氮气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
