[发明专利]一种消除表面静电的流体压紧封装装置及封装方法

权利要求书

1.一种消除表面静电的流体压紧封装装置，包括：

封装结构，所述封装结构具有第一基板，第二基板，及设置在所述第一基板和所述第二基板之间用于形成至少一腔室的熔料；

辐射源，用于加热所述熔料，使所述熔料与所述第一基板和所述第二基板的连接面处结合，使所述腔室形成气密封装结构；

流体源，所述流体源提供流体束，所述流体束作用于所述第一基板，用于压紧所述第一基板与所述第二基板之间的所述熔料；

其特征在于，所述流体源内还包括离子发生装置，用于激发所述流体束以产生正负离子。

2.如权利要求1所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述离子发生装置是电晕放电装置或光照射型离子发生装置。

3.如权利要求1所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述电晕放电装置是直流放电电晕放电装置或脉冲直流放电电晕放电装置或交流放电电晕放电装置。

4.如权利要求1所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述流体源包括一个或多个喷射头，以及与所述喷射头相连接的喷射流体管路。

5.如权利要求4所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述离子发生装置通过密封绝缘垫圈与所述喷射头连接。

6.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述熔料包括低温熔融玻璃料。

7.如权利要求6所述的封装装置，其特征在于，所述熔料进一步包括以下成分中的至少一种：有机成膜载体、有机接合剂、分散剂、表面活性剂。

8.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述第二基板包含至少一个有机发光器件的像素区域，所述第一基板设置在所述第二基板的像素区域上，所述熔料设置于封装线上，所述封装线位于非像素区域。

9.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述第一基板是玻璃基板。

10.如权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述流体束是含非腐蚀性成分的气体束。

11.如权利要求10所述的封装装置，其特征在于，所述气体束是惰性气体束。

12.如权利要求4所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述喷射头为单个或多个点状喷射头、线状喷射头或面状喷射头，所述喷射头的布置方式为单点布置或多点布置。

13.如权利要求12所述的流体压紧封装装置，其特征在于，所述多点布置是线阵排列布置或面阵排列布置。

14.一种消除表面静电的封装方法，包括以下步骤：

将第一基板放置于具有熔料的第二基板上，使所述第一基板、所述第二基板以及所述熔料共同形成至少一腔室；

设置流体源，用于提供流体束施加力在所述第一基板上；

提供辐射源，在所述流体束提供压力的同时，加热所述熔料，使所述腔室形成气密封装结构；

其特征在于，所述流体源内还包括离子发生装置，用于激发所述流体束以产生正负离子。