[发明专利]金属栅极晶体管、集成电路、系统及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上方的第一层间电介质(ILD)中形成具有第一宽度的栅极带；

在所述栅极带上方形成具有第二宽度的导电带；

在所述第一ILD和所述导电带上方形成第二ILD；以及

在所述第二ILD中和所述导电带上方形成导电插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成导电带的步骤包括：

在所述栅极带和所述第一ILD上方形成导电层；以及

图案化所述导电层，以形成所述导电带。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电带的材料包括W、Al、Cu、TiN、TaN、TiW、或上述的组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电带的厚度介于大约100埃和大约10,000埃之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极带是金属栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比介于大约1和大约6之间。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述栅极带和所述导电带之间形成电传导结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述电传导结构是A1和/或金属硅化物。

9.一种方法，包括：

形成具有第一宽度的栅极带，其中，所述栅极带位于基板上方的第一层间电介质(ILD)中；

在所述栅极带上方形成图案化层，其中，所述图案化层具有位于所述栅极带上方的沟槽开口；

在所述沟槽开口中形成导电带，其中，所述导电带具有第二宽度；

在所述导电带上方形成第二ILD；以及

在所述第二ILD中和所述导电带上方形成导电插塞。

10.一种集成电路结构，包括：

第一层间电介质(ILD)层，位于基板上方；

栅极带，位于所述第一ILD层中，其中，所述栅极带具有第一宽度；

第二ILD层，位于所述栅极带和所述第一ILD层上方；

接触插塞，位于所述第二ILD层中；以及

导电带，介于所述接触插塞和所述栅极带之间，其中，所述导电带具有第二宽度。