[发明专利]一种平面光学波导芯片的制备方法

权利要求书

1.一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，包括：

把平面波导芯片的基板固定在旋转涂胶机上；把无机氧化硅纳米溶胶材料滴在基板上，形成均匀薄膜；对所述薄膜进行热处理，即得下包层。

2.根据权利要求1所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述制备方法适合于平面波导芯片的芯层或上包层的制作。

3.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述基板材料为硅、石英或其它玻璃材料。

4.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述的旋转涂胶机的转速为300rpm～3000rpm。

5.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述无机氧化硅纳米溶胶材料的成分为5-90％的二氧化硅纳米分散颗粒，其余为甲醇；其中无机氧化硅纳米溶胶材料的折射率通过掺杂Ge、P或B进行调整。

6.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述制备下包层的无机氧化硅纳米溶胶材料的折射率为1.2～1.8；制备芯层的无机氧化硅纳米溶胶材料的折射率为1.25～1.85；制备上包层的无机氧化硅纳米溶胶材料的折射率1.2～1.8；所述折射率相对于1550nm波长光。

7.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述下包层厚度为10～50um；芯层的厚度为2～20um；上包层厚度为10～50um。

8.根据权利要求7所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述的下包层、上包层或芯层的厚度通过单次旋转涂胶形成；或者是多次旋转涂胶形成。

9.根据权利要求1或2所述的一种平面光学波导芯片下包层的制备方法，其特征在于：所述的热处理方式为光照或加热；其中热处理温度为摄氏100度到800度，热处理时间0.5～10小时。

10.一种平面光学波导芯片的制备方法，包括：

(1)把平面波导芯片的基板固定在旋转涂胶机上；把无机氧化硅纳米溶胶材料滴在基板上，形成均匀薄膜；对所述薄膜进行热处理，即得下包层；

(2)与上述制备下包层相同方法，在下包层上制备芯层，并对其进行光刻和蚀刻工艺；

(3)与上述制备下包层相同方法，在步骤(2)制得的芯层上制备上包层，即得平面光学波导芯片。