[发明专利]TFT阵列的结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及到TFT阵列技术，特别涉及到一种TFT阵列的结构及制造方法。

背景技术

图1为现有技术反射式胆固醇液晶显示器中TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)的阵列结构示意图；参照图1，现有技术中反射式胆固醇液晶显示器(Cholesteric LCD)的TFT阵列结构通常包括：基板10、第一金属导电层11、中间层12、第二金属导电层13、钝化层14、COM电极15、(黑色)吸收层16、液晶层17、另一COM电极15以及另一基板10；该中间层12包括绝缘层121、半导体以及N⁺层122。该吸收层16可为该显示器提供黑暗状态(dark state)，且由于该显示器TFT阵列中的a-Si(半导体以及N⁺层122)薄膜受光照射后导电性与光照强度成正比(参照图2)，因此该吸收层16还可避免a-Si薄膜因环境光线而造成在断开状态下(OFF state)的电流泄漏。

图3a至图3c为现有技术反射式胆固醇液晶显示器的三种状态示意图；参照图3a至3c，现有的该显示器通常包括明亮状态(Bright state)、黑暗状态(Darkstate)以及刷新状态(Refresh state)三种状态。由于现有的TFT阵列结构中，该吸收层16不能完全吸收掉发生散射的入射光，当该显示器要更新画面时必需先操作refresh state(刷新状态)再切换到设定的画面，而操作refresh state时需要高电压操作(20～30V)，由于吸收层16及ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)电极(COM电极15)会分压而降低有效电压，使得操作达不到预想效果。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种TFT阵列的结构及制造方法，减少了液晶cell中的电压损耗。

本发明提出一种TFT阵列的结构，包括：第一金属导电层、中间层、第二金属导电层、钝化层以及黑色电极层；

所述第一金属导电层通过成膜以及第一道光罩形成于基板上；所述中间层通过沉积以及第二道光罩形成于所述第一金属导电层上；所述第二金属导电层通过第三道光罩蚀刻形成于所述中间层上；所述钝化层通过沉积以及第四道光罩的蚀刻形成于所述中间层以及第二金属导电层上；所述黑色电极层形成于所述钝化层上。

优选地，所述中间层包括：

依次成膜的绝缘层、半导体以及N+层。

优选地，所述钝化层具有蚀刻出的接触孔。

优选地，所述黑色电极层填充所述接触孔并与所述第二金属导电层连接。

优选地，所述黑色电极层包括像素电极和TFT遮光电极；所述像素电极与TFT遮光电极不相连接，且所述像素电极填充所述接触孔并与第二金属导电层连接。

优选地，所述黑色电极层为导电性的吸收材料。

本发明还提出一种TFT阵列的制造方法，包括步骤：

在基板上成膜并经过第一道光罩形成第一金属导电层；

在所述第一金属导电层上沉积并经过第二道光罩形成中间层；

通过第三道光罩蚀刻，在所述中间层上形成第二金属导电层；

沉积钝化层在所述中间层以及第二金属导电层上，并通过第四道光罩进行蚀刻；

在所述钝化层上形成黑色电极层。

优选地，所述在所述第一金属导电层上沉积并经过第二道光罩形成中间层的步骤具体包括：

在所述第一金属导电层上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上形成并通过第二道光罩蚀刻出半导体以及N+层。

优选地，通过第四道光罩蚀刻所述钝化层时包括在所述钝化层上蚀刻出的接触孔的步骤。

优选地，所述在所述钝化层上形成黑色电极层的步骤还包括使黑色电极层填充所述接触孔并通过填充到所述接触孔内的黑色电极层连接所述第二金属导电层。

优选地，所述黑色电极层包括互不导通的像素电极和TFT遮光电极；在所述钝化层上形成黑色电极层的步骤具体包括：在所述钝化层上形成所述像素电极与TFT遮光电极，并使所述像素电极填充所述接触孔以连通第二金属导电层。

优选地，所述黑色电极层为导电性的吸收材料。

本发明的TFT阵列的结构及制造方法，通过形成具有光吸收性的导电电极(黑色电极层)，取代现有的COM电极和吸收层，并利用传统制作工艺在钝化层上成膜，在减少了一道成膜工序的同时还解决了传统结构因液晶层及吸收层分压而降低有效电压的问题，使液晶层可以完全感受到外部送进像素的电压信号，提升了该显示器性能。