[发明专利]一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法

说明书

技术领域

本发明属于晶体生长领域，具体指一种熔盐结合提拉法生长得到优质KTP的工艺方法。

技术背景

KTP（化学式KTiOPO₄）KTP (KTiOPO₄)，是一种具有优异的非线性、电光和声光性能的非线性光学晶体。高非线性系数、宽透过范围、大的接收角及热稳定等特点，使得KTP成为各种非线性光学和波导应用的理想材料，已经广泛运用于科研、技术等各个领域，特别是中小功率倍频的最佳晶体材料。

熔盐提拉法具有简单、缩短生长周期，节约成本等特点。

本发明采用新工艺，熔盐结合提拉法，利用K6为助熔剂生长KTP。

发明内容

本发明的目的是探究一种简单、缩短生长周期、节约成本得到优质KTP的方法。

本发明通过如下方式实现：

1. 一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K₆P₄O₁₃为助熔剂生长，使用熔盐结合提拉的方法生长KTP单晶。

2. 如项1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于：KTP: K₆P₄O₁₃＝1:2。

3.如项1所述的一种熔盐提拉法生长KTP优质单晶的方法，其特征在于：所述熔盐提拉法使用的转速为15r/min，拉速为0.2mm/day～2mm/day，降温速率为0.2℃/day～2℃/day。

本发明特点：采用熔盐结合提拉法生长KTP，具有缩短生长周期、节约成本提高效率特点。

具体实施方式

实施例一：采用磷酸二氢钾、磷酸氢二钾和二氧化钛为原料，利用K6为助熔剂生长，KTP:K6＝0.5g/g，于950℃化料，转速15r/min，拉速0.2mm/day～2mm/day，降温速率0.2℃/day～2℃/day，生长得到优质单晶KTP。