[发明专利]具有微通道散热器的LED模块及其制备方法

权利要求书

1.一种具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

步骤一，提供一半导体衬底，并依次在所述半导体衬底上生长缓冲层，N型GaN层、量子阱层、及P型GaN层，然后在所述P型GaN层上形成P型欧姆接触以制备出P电极，接着剥离所述半导体衬底并去除所述缓冲层，最后在所述N型GaN层上形成N型欧姆接触以制备出N电极，以制备出一LED芯片；

步骤二，提供一具有上、下表面及四周侧面的硅衬底，刻蚀所述硅衬底的下表面，以在所述硅衬底的底部形成多个朝向该下表面开口并贯穿相对两侧面的沟道，然后将一密封层键合于所述硅衬底的下表面，以使各该沟道形成在所述的相对两侧面上分别具有进口及出口的用以流通冷却液的多个微通道，并于所述硅衬底的上表面形成一绝缘层，以制备出一微通道散热器；

步骤三，于所述绝缘层上制作正、负电极板，将所述LED芯片通过合金工艺倒装在所述正电极板上，然后使用金丝球焊机将一金丝键合于所述N电极与所述负电极板之间以完成电性连接，同时于所述正、负电极板上分别制备出对应电性连接于一外部电源的正、负电极连接端；以及

步骤四，在所述LED芯片上涂覆荧光粉，然后藉由硅胶进行灌封，以密封所述正、负电极板，LED芯片，金线以及荧光粉于所述微通道散热器的绝缘层上，最后进行烘烤固化，以完成所述LED模块的制备。

2.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤一中还包括对所述P电极与N电极的表面进行镀金的步骤。

3.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述缓冲层、N型GaN层、量子阱层及P型GaN层的生长方法为金属有机化合物化学气相淀积法。

4.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤二中刻蚀所述硅衬底的下表面的刻蚀方法为反应离子刻蚀法。

5.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的密封层的材质为硅或者铜，藉由导热密封材料键合于所述硅衬底的下表面。

6.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤二中将所述密封层键合于所述硅衬底下表面的键合方法为阳极键合法。

7.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的所述沟道的宽度为10μm至1000μm。

8.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的冷却液为纯水、乙醇，添加有纳米颗粒的水、或添加有纳米颗粒的乙醇。

9.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为氮化铝材质，并该氮化铝材质的绝缘层表面镀有一层金或银，用以制作所述正、负电极板，以将所述LED芯片通过合金工艺倒装在所述正电极板上。

10.根据权利要求9所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤三中将所述LED芯片通过合金工艺倒装在所述正电极板上的合金为金锡合金。

11.根据权利要求10所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤三中将所述LED芯片的P电极通过合金工艺键合在所述正电极板上。

12.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤四中所述荧光粉为YAG荧光粉。

13.根据权利要求1所述的具有微通道散热器的LED模块的制备方法，其特征在于，所述步骤四中所述硅胶为进行了一次光学设计的有机硅。