[发明专利]参考电流产生电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种参考电流产生技术，且特别是有关于一种适用于芯片内部的参考电流产生电路。

背景技术

图1所示为传统电流源电路的示意图。请参照图1，传统的电流源电路100包括一能隙电压产生器102、一运算放大器104、一外接电阻Rext、N型晶体管M1以及P型晶体管Q1～Q3。其中运算放大器104的正输入端耦接能隙电压产生器102，负输入端耦接N型晶体管M1的源极，运算放大器104的输出端则耦接N型晶体管M1的栅极。外接电阻Rext耦接于N型晶体管M1的源极与接地之间。另外，P型晶体管Q1的栅极与漏极相互耦接，且P型晶体管Q1的漏极耦接N型晶体管M1的漏极，而P型晶体管Q1的源极耦接一电源电压VDD。另外，P型晶体管Q2、Q3的栅极耦接至P型晶体管Q1的栅极，P型晶体管Q2、Q3的源极则耦接电源电压VDD。

如图1所示，以往要在芯片内部产生一个与温度、工艺及参考电压无关的参考电流，是利用能隙电压产生器102产生一精准的参考电压VBG之后，再透过运算放大器104利用负回授的方式将此电压复制在芯片的外接电阻Rext，以在P型晶体管Q1的通道产生所需的参考电流，而P型晶体管Q2、Q3则用以复制流经P型晶体管Q1的参考电流，并于其漏极输出所复制的参考电流。已知技术的参考电流虽可产生精确的参考电流，但需增加芯片的外接脚位，且外接电阻Rext必定耗费大量空间，如此将增加生产成本，非常不符合经济效益。

发明内容

本发明提出一种参考电流产生电路，包括一参考电压产生单元、一操作电流产生单元、一比较模块、一调整模块以及一第一输出级。其中参考电压产生单元用以产生一参考电压以及一比较电压。操作电流产生单元用以接收参考电压后产生一第一操作电流与一第二操作电流。比较模块用以根据接收参考电压、第一操作电流以及第二操作电流产生一输出电压，并使输出电压与比较电压进行比较，产生一比较信号输出。调整模块用以接收比较信号后，产生一第一致能信号与一调整电流。第一输出级用以接收调整电流、第一致能信号与第二操作电流后，输出一第一参考电流。

基于上述，本发明利用并非直接利用依据能隙电压所产生的电流来做为参考电流，而是利用比较模块、调整模块以及输出级来依据操作电流(其为依据能隙电压所产生)进行调整参考电流的调整，而在不需利用外接电阻的情形下来产生参考电流，进而有效降低生产成本。

附图说明

图1所示为传统电流源电路的示意图。

图2所示为本发明第一实施例的参考电流产生电路的示意图。

图3所示为图2实施例的参考电流产生电路的详细电路图。

图4所示为图3实施例中部份信号的波形示意图。

图5所示为本发明第二实施例的参考电流产生电路的示意图。

图6所示为本发明第二实施例的操作电流产生电路的示意图。

图7所示为本发明第三实施例的参考电流产生电路的示意图。

图8所示为本发明第四实施例的参考电流产生电路的示意图。

图9所示为图7实施例的参考电流产生电路的部份信号波形示意图。

具体实施方式

图2所示为本发明一实施例的参考电流产生电路的示意图。请参照图2，参考电流产生电路200包括一参考电压产生单元202、一操作电流产生单元204、一比较模块206、一调整模块208以及一输出级210。其中操作电流产生单元204耦接参考电压产生单元202，比较模块206耦接参考电压产生单元202、操作电流产生单元204以及调整模块208，输出级210则耦接操作电流产生单元204与调整模块208。