[发明专利]一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈无效

专利信息
申请号: 201110236397.0 申请日: 2011-08-17
公开(公告)号: CN102429659A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 左真涛;薛蓉;李艳霞;李志光;燕新强;卓彦 申请(专利权)人: 中国科学院生物物理研究所
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055;G01R33/36
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐宁;关畅
地址: 100101*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 超高 通道 发射 接收 线圈
【权利要求书】:

1.一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:它包括一两端通透的线圈本体,所述线圈本体包括两个平行间隔设置呈Ω型的支撑体,其中一所述支撑体的顶部设置有一放置外部反射镜的凸台,两个所述支撑体之间设置一由偶数块有机玻璃板拼成而成的外壳,每一所述有机玻璃板上设置有一相控阵表面回路,每一相邻的两个所述相控阵表面回路之间分别加入一个以上的去耦电容,对应被测试者眼部位置在所述外壳的顶部对称设置有两个视窗。

2.如权利要求1所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:每一个所述相控阵表面回路包括若干个固定电容和可调电容,在各相邻的所述电容之间分别设置有一电感,构成一串联谐振回路,在所述串联谐振回路中的一可调电容的一端通过另外一可调电容连接一并行发射接收射频接口电路中的发射接收转换开关。

3.如权利要求2所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述固定电容采用无磁耐高压固定电容,所述可调电容采用无磁耐高压可调电容,所述电感由印制电路板覆铜构成。

4.如权利要求1或2或3所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述外壳顶部的两个相邻相控阵表面回路分别是在所述两个视窗的边框与有机玻璃板之间布线,其它的所述相控阵表面回路的布线位置都与此相同。

5.如权利要求1或2或3所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述外壳的形状为类椭圆形,所述外壳左右之间的距离为22~24cm,上下之间的距离为24~26cm。

6.如权利要求4所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述外壳的形状为类椭圆形,所述外壳左右之间的距离为22~24cm,上下之间的距离为24~26cm。

7.如权利要求1或2或3或6所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述并行发射接收射频接口电路中设置有线性相移器。

8.如权利要求4所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述并行发射接收射频接口电路中设置有线性相移器。

9.如权利要求5所述的一种用于高场和超高场的多通道发射接收头线圈,其特征在于:所述并行发射接收射频接口电路中设置有线性相移器。

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