[发明专利]一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器及其应用有效
申请号: | 201110236278.5 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102294445A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 罗天骄;杨院生;冯小辉;李应举;付俊伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | B22D11/055 | 分类号: | B22D11/055;B22D11/049 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镁合金 低频 脉冲 磁场 辅助 连续 铸造 结晶器 及其 应用 | ||
1.一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,该结晶器设有:结晶器外壳(1)、结晶器上盖(2)、结晶器内套(3)、励磁线圈(4)、进水口(5)、二次冷却水喷孔(6),具体结构如下:
结晶器外壳(1)的顶部设置结晶器上盖(2),结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)的中心孔位置设有结晶器内套(3),结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)之间形成冷却水槽,冷却水槽中设置励磁线圈(4),结晶器外壳(1)的外侧设置与冷却水槽相通的进水口(5),结晶器内套(3)上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔(6)。
2.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,二次冷却水喷孔(6)为倾斜设置,与半连续铸造时的铸锭移动方向相对应。
3.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)均为不锈钢材质,且厚度均为5-10mm。
4.按照权利要求3所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)的材质均采用顺磁性不锈钢。
5.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器内套(3)采用4XXX系锻造铝合金材质,厚度为10-15mm,形状为喇叭状,且上口小,下口大,倾斜角度为1-6°。
6.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器内套(3)的上口高出结晶器上盖(2)表面5-10mm。
7.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,冷却水槽内用不锈钢密封盒(13)封装磁感应线圈(4),励磁线圈(4)位于冷却水槽中,通过不锈钢密封盒(13)与水隔开;励磁线圈(4)由横截面尺寸为(1-3)×(5-7)mm扁铜线绕制而成,高50-85mm,总匝数为50-300。
8.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器内套(3)上的二次冷却水喷孔(6)与冷却水槽相通。
9.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,结晶器外壳(1)与结晶器内套(3),结晶器外壳(1)与结晶器上盖(2),结晶器上盖(2)与励磁线圈(4)密封盒之间都以环形密封圈密封。
10.按照权利要求1所述的镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器的应用,其特征在于,首先将结晶器安装到半连续铸造平台,利用引锭(12)和石棉绳密封结晶器内套(3)底部,并接通冷却水和励磁线圈(4)的电源,位于冷却水槽中的励磁线圈(4),通过不锈钢密封盒(13)与水隔开,励磁线圈(4)的密封盒不仅防止冷却水直接接触扁铜线,还起到挡水板的作用,使冷却水进入冷却水槽后,经由不锈钢密封盒(13)上方,再由上往下流,最后冷却水(7)从结晶器内套(3)上的二次冷却水喷孔(6)中喷出,并将冷却水(7)的流量调节到300-800ml/s,励磁线圈(4)的脉冲电源电压调节到100-300V;镁合金熔体由熔体流槽导入结晶器内套(3)中,待结晶器内套(3)中的金属熔体液面(8)达到高度为20-50mm时,开启半连续铸机,并将铸造速度调整到50-200mm/min,引锭(12)上方依次形成铸锭(11)、金属液固两相区(10)、金属熔体(9)和金属熔体液面(8),直到铸造结束,整个过程需在氮气或惰性气体的保护气氛下进行。
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