[发明专利]ITO通孔一体式电容触摸屏及制造方法

权利要求书

1.一种ITO通孔一体式电容触摸屏，包括透明基板，依次层叠于透明基板的黑色树脂层、ITO电极、第一绝缘层、ITO通孔电极、金属电极和第二绝缘层；所述的ITO电极包括ITO电极1和ITO电极2，具有规则图形结构；ITO电极1与ITO电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计；

所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区；所述的金属电极线路布线仅在黑色树脂层区域。

2.如权利要求1所述的ITO通孔一体式电容触摸屏，其特征是：所述的透明基板为厚度在0.5mm~2.0mm的化学强化玻璃基板；所述ITO通孔电极的通孔的个数可以是一个或者数个，通孔电极方式有圆形打孔，椭圆形打孔，三角形打孔，梯形打孔，或长方形打孔。

3.如权利要求2所述的ITO通孔一体式电容触摸屏，其特征是：所述的黑色树脂层厚度为0.3um~5um；ITO电极层厚度为50~2000埃米；第一绝缘层的厚度为0.5~3um；所述的ITO通孔电极厚度为50埃米~2000埃米；金属电极层的厚度为500~4000埃米；第二绝缘层厚度为0.5~3um。

4.如权利要求3所述的ITO通孔一体式电容触摸屏，其特征是：所述的金属镀膜的金属膜层为MoNb，AlNd，MoNb堆积而成的三明治结构，厚度按50埃米~500埃米:500埃米~3000埃米:50埃米~500埃米比例搭配，其中MoNb合金材料中Mo和Nb质量比为85~95：5~15，AlNd合金材料中Al和Nd质量比为95~98：2~5。

5.如权利要求4所述的ITO通孔一体式电容触摸屏，其特征是：所述的ITO包括In2O3和SnO2，其质量比为85~95：5~15。

6.一种制备ITO通孔一体式电容触摸屏的方法，包括步骤：

黑色树脂层的形成：将黑色树脂经过旋转涂布方式或刮式涂布方式均匀涂布在透明基板上，涂布厚度为0.3um~5um，经过加热器预烤，曝光，显影，使之形成所需的黑色树脂区域；所述黑色树脂是感光性保护层光阻剂，所述光阻剂包括亚克力树脂，环氧树脂，负性感光剂，乙酸丙二醇单甲基醚酯及黑色颜料；其比例为树脂类：乙酸丙二醇单甲基醚酯：黑色颜料及负性感光剂=15~30：60~80：1~10；

ITO电极的形成：对透明基板进行化学强化，再经过ITO镀膜，使在玻璃基板上形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层，其厚度为50埃米~2000埃米；

经过ITO镀膜的透明基板，在其ITO表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，光阻涂布厚度为1um~5um；

经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为50~2000埃米及规则ITO图案或电极；

所述的ITO电极包括ITO电极1ITO电极2，具有规则图形结构；ITO电极1与ITO电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，垂直设计；

第一绝缘层的形成:

经过ITO电极后的透明基板，在其ITO膜面涂布一层厚度均匀的负性光阻材料，光阻涂布厚度为0.5um~3um；

经过光阻预烤，曝光，显影，最终形成厚度为0.5~3um和规则的绝缘层图案；

ITO通孔电极的形成:

形成第一绝缘层的透明基板，再次经过ITO镀膜，使在玻璃基板上形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层，其厚度为50埃米~2000埃米；

经过ITO镀膜的透明基板，在其ITO表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，光阻涂布厚度为1um~5um；

经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为50~2000埃米及规则ITO图案或电极；

金属电极层的形成:

形成ITO电极层的透明基板，经过金属镀膜，使之在透明基板上形成一层厚度均匀的金属膜层，其厚度为500埃米~4000埃米；

经过金属镀膜的透明基板，在其金属表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，光阻涂布厚度为1um~5um；

经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为500~4000埃米及规则金属图案或电极；

第二绝缘层的形成:

经过金属电极后的透明基板，在其金属膜面涂布一层厚度均匀的负性光阻材料，光阻涂布厚度为0.5um~3um；

经过光阻预烤，曝光，显影，最终形成厚度为0.5~3um和规则的绝缘层图案。