[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种高效四结太阳能电池的制作方法，其包括如下步骤：

提供一双面抛光衬底，用于半导体外延生长；

在所述衬底正面形成第一子电池，其具有第一带隙；

在所述第一子电池上方形成渐变缓冲层，其具有大于第一带隙的第二带隙；

在所述的渐变缓冲层上方形成第二子电池；其具有大于第二带隙的第三带隙；

在所述衬底的背面形成第三子电池，其为倒装生长，具有小于第一带隙的第四带隙；

在所述的第三子电池的下方形成第四子电池，其为倒装生长，具有小于第四带隙的第五带隙；

在所述的第四子电池的下方外延形成背接触层。

2.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述双面抛光衬底是p-InP衬底。

3.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述双面抛光衬底的厚度小于或等于200微米。

4.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：以衬底本身作为基区，在p型衬底正面注入n型离子形成发射区，构成所述第一子电池。

5.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述渐变缓冲层为多层结构，其材料是In_XGa_1-XP。

6.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一带隙为1.3~1.5 eV；所述第二带隙为1.5~1.8 eV；所述第三带隙为1.8~2 eV；所述第四带隙为0.9~1.2 eV；所述第五带隙为0.6~0.9 eV。

7.根据权利要求1所述的一种高效四结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第二子电池由p型InAlAs基区和n型InAlAs发射区构成；所述第三子电池由p型InGaAsP基区和n型InGaAsP发射区构成；所述第三子电池由p型InGaAsP基区和n型InGaAsP构成；所述第四子电池由p型InGaAs基区和n型InGaAs发射区构成。

8.一种高效四结太阳能电池，其包括：

一双面抛光衬底；

第一子电池，由所述衬底正表面注入离子形成，具有一第一带隙；

渐变缓冲层，形成于第一子电池上方，具有一大于第一带隙的第二带隙；

第二子电池，形成于渐变缓冲层上方，具有一大于第二带隙的第三带隙；

第三子电池，倒装生长于所述衬底的背面，具有一小于第一带隙的第四带隙；

第四子电池，倒装生长于第三子电池下方，具有一小于第四带隙的第五带隙。

9.根据权利要求8所述的一种高效四结太阳能电池，其特征在于：所述双面抛光衬底是p-InP衬底。

10.根据权利要求8所述的一种高效四结太阳能电池，其特征在于：所述双面抛光衬底的厚度小于或等于200微米。

11.根据权利要求8所述的一种高效四结太阳能电池，其特征在于：所述渐变缓冲层为多层结构，其材料是In_XGa_1-XP。

12.根据权利要求8所述的一种高效四结太阳能电池，其特征在于：所述第一带隙为1.3~1.5 eV；所述第二带隙为1.5~1.8 eV；所述第三带隙为1.8~2 eV；所述第四带隙为0.9~1.2 eV；所述第五带隙为0.6~0.9 eV。

13.根据权利要求8所述的一种高效四结太阳能电池，其特征在于：所述第二子电池由p型InAlAs基区和n型InAlAs发射区构成；所述第三子电池由p型InGaAsP基区和n型InGaAsP发射区构成；所述第三子电池由p型InGaAsP基区和n型InGaAsP构成；所述第四子电池由p型InGaAs基区和n型InGaAs发射区构成。