[发明专利]具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有改良出光结构的LED芯片，包括正面(1a)生长有外延层(2)的透明衬底(1)，其特征在于：所述透明衬底(1)具有台阶形结构，且至少衬底侧边上部为与竖直方向成10-45°夹角的倾斜边。

2.根据权利要求1所述的具有改良出光结构的LED芯片，其特征在于：所述衬底(1)包括沿从上到下的顺序层叠设置的第二部分(12)和第一部分(11)，其中，第一部分为矩形体结构，第二部分的下端面面积大于上端面面积，但小于第一部分上端面面积。

3.根据权利要求2所述的具有改良出光结构的LED芯片，其特征在于：至少所述第二部分(12)的上部具有棱台形结构。

4.根据权利要求1或2所述的具有改良出光结构的LED芯片，其特征在于：所述透明衬底(1)包括蓝宝石基片。

5.如权利要求1所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法为：

首先在透明衬底背面(1b)刻蚀形成切入透明衬底至第一设定深度的两条倾斜切痕，该两条倾斜切痕彼此之间成20-90°夹角但无交叉；

其后垂直刻蚀处于该两条倾斜切痕之间的衬底背面(1b)区域，并切入衬底至第二设定深度，从而在衬底上形成Y型切槽(1c)，所述第二设定深度大于第一设定深度；

最后以激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面(1a)的外延层(2)，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。

6.根据权利要求5所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法中所述刻蚀工艺至少选用干法刻蚀和激光刻蚀中的任意一种以上。

7.如权利要求5所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：

(1)以彼此之间成20-90°夹角的两束激光自透明衬底背面(1b)倾斜切入透明衬底至第一设定深度，且形成的两条倾斜切痕彼此无交叉；

(2)以平行排布在两条倾斜切痕之间的复数束激光垂直切入衬底至第二设定深度，从而在衬底上形成Y型切槽(1c)，所述第二设定深度大于第一设定深度；

(3)以一束激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面(1a)的外延层(2)，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。

8.根据权利要求5或7所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明衬底(1)包括蓝宝石基片，且所述透明衬底厚度在80μm以上。

9.根据权利要求7所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述复数束激光中位于最外侧的两束激光分别与两条倾斜切痕的末端交叉。

10.根据权利要求7或9所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述复数束激光包括密集排布的五束以上激光。

11.根据权利要求5或7所述具有改良出光结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法中还包括在激光切割完成后，对衬底(1)和/或外延层(2)上的被切割区域进行清洁的操作。