[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201110233149.0 申请日: 2011-08-15
公开(公告)号: CN102654973A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 祁小敬;谭文;吴博;高永益 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机发光显示技术领域,特别涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)能够发光是由驱动薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在饱和状态时产生的电流所驱动,因为输入相同的灰阶电压时,不同的临界电压会产生不同的驱动电流,造成电流的不一致性。低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)制程上Vth的均匀性非常差,同时Vth也有漂移,因此,传统的2T1C电路亮度均匀性很差。

图1为传统的采用2个TFT晶体管,1个电容组成的电压驱动型像素电路结构(2T1C)。其中开关管T2将数据线上的电压传输到驱动管T1的栅极,驱动管T1将这个数据电压转化为相应的电流供给OLED器件,在正常工作时,驱动管T1应处于饱和区,在一行的扫描时间内提供恒定电流。其电流可表示为:

IOLED=12μn·COX·WL·(Vdata-Voled-Vthn)2]]>

其中μn为载流子迁移率,COX为栅氧化层电容,W/L为晶体管宽长比,Vdata为数据电压,Voled为OLED工作电压,为所有像素单元共享,Vthn为晶体管T1的阈值电压。由上式可知,如果不同像素单元之间的Vthn不同,则电流存在差异。如果像素的Vthn随时间发生漂移,则可能造成先后电流不同,导致残影。且由于OLED器件非均匀性引起OLED工作电压不同,也会导致电流差异。最终会导致亮度均匀性很差,显示效果不好。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是:如何精确地补偿驱动晶体管的阈值电压漂移,以控制流过OLED的电流的均匀性。

(二)技术方案

为解决上述技术问题,本发明提供了一种像素电路,包括:栅线、数据线、电源线、第一信号线、第二信号线、接地极、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第一存储电容、第二存储电容和OLED器件,

所述第一开关晶体管的栅极连接所述栅线,源极连接所述数据线,漏极连接第一存储电容的第一端;

所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线,源极连接所述电源线,漏极连接所述第二存储电容的第一端;

所述驱动晶体管的栅极连接所述第一存储电容的第二端和第二存储电容的第二端,源极连接所述第二存储电容的第一端和所述OLED器件的阴极,用于为所述OLED器件提供驱动电流,所述OLED器件阳极连接所述电源线;

所述第二开关晶体管用于根据所述第一信号线控制所述驱动晶体管的栅极和漏极的通断,所述第四开关晶体管用于根据所述第二信号线控制所述驱动晶体管的漏极和所述接地极的通断。

其中,所述第二开关晶体管的栅极连接第一信号线,源极连接所述驱动晶体管的栅极,漏极连接所述驱动晶体管的漏极。

其中,所述第四开关晶体管的栅极连接第二信号线,源极连接接地极,漏极连接所述驱动晶体管的漏极。

其中,所述驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管及第四开关晶体管均为P型TFT。

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