[发明专利]磁控管、溅射腔室装置和溅射设备有效

专利信息
申请号: 201110233023.3 申请日: 2011-08-15
公开(公告)号: CN102938358A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 边国栋 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01J23/087 分类号: H01J23/087;H01J25/50;H01J37/34
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 贾玉姣
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 磁控管 溅射 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种磁控管,其特征在于,包括:

外磁极,所述外磁极具有第一磁极性;

内磁极,所述内磁极具有与所述第一磁极性相反的第二磁极性,所述内磁极设在所述外磁极的内部,所述内磁极与所述外磁极之间的间隙限定出一条连续闭合的轨道,所述内磁极包括第一和第二内磁极段,所述第一和第二内磁极段均为渐开线形状,所述第一和第二内磁极段绕同一基圆沿相反方向展开且所述第一和第二内磁极的内端相连,其中所述外磁极和所述内磁极中的每一个均相对于所述基圆的圆心中心对称。

2.根据权利要求1所述的磁控管,其特征在于,所述间隙的宽度恒定。

3.根据权利要求2所述的磁控管,其特征在于,所述间隙的宽度为1英寸。

4.根据权利要求1所述的磁控管,其特征在于,所述内磁极和所述外磁极的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的磁控管,其特征在于,所述基圆的半径为25毫米。

6.一种溅射腔室装置,其特征在于,包括:

腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室,所述腔室本体的上端敞开;

靶材,所述靶材设在所述腔室本体的上端以便所述靶材的下表面暴露到所述腔室内;

磁控管,所述磁控管设在所述靶材上方,其中所述磁控管是根据权利要求1-5中任一项所述的磁控管;和

驱动机构,所述驱动机构与所述磁控管相连以驱动所述磁控管在所述靶材上方旋转。

7.一种溅射设备,其特征在于,包括根据权利要求6所述的溅射腔室装置。

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