[发明专利]与半导体工艺兼容的盖板预封装方法无效
| 申请号： | 201110232587.5 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102303842A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张艳红;张挺;邵凯;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 兼容 盖板 封装 方法 | ||
1.一种与半导体工艺兼容的盖板预封装方法，包括步骤：
提供器件基底(101)，其上划分有需要密封的第一区域(102)和需要暴露于外测环境的第二区域(103)；
提供预封装盖板(104)，在其正面和背面分别形成阻挡层(105)；
刻蚀所述预封装盖板(104)背面的阻挡层(105)，形成多个背面窗口，多个所述背面窗口的大小和位置与所述器件基底(101)上的第一区域(102)和第二区域(103)相对应；
以所述阻挡层(105)为掩模，从多个所述背面窗口中刻蚀所述预封装盖板(104)，在所述预封装盖板(104)中形成多个背面空腔(106)；
刻蚀所述预封装盖板(104)正面的阻挡层(105)，形成多个正面窗口，多个所述正面窗口的大小和位置与所述器件基底(101)上的第二区域(103)相对应；
以所述阻挡层(105)为掩模，从多个所述正面窗口中刻蚀所述预封装盖板(104)，在所述预封装盖板(104)中形成多个正面空腔(107)，多个所述正面空腔(107)的底部与多个所述背面空腔(106)的底部之间仅间隔有薄层(108)；
采用湿法刻蚀法去除所述预封装盖板(104)正面和背面形成的阻挡层(105)；
将所述预封装盖板(104)与所述器件基底(101)键合在一起，所述预封装盖板(104)将所述器件基底(101)上的第一区域(102)和第二区域(103)全部密封；
采用干法刻蚀法刻穿所述薄层(108)，将所述器件基底(101)上的第二区域(103)暴露于外测环境。
2.根据权利要求1所述的盖板预封装方法，其特征在于，所述预封装盖板(104)为硅、锗、砷化镓、陶瓷、玻璃、金属或者有机材料。
3.根据权利要求2所述的盖板预封装方法，其特征在于，所述阻挡层(105)为一层或者多层叠加。
4.根据权利要求3所述的盖板预封装方法，其特征在于，所述阻挡层(105)为钝化材料。
5.根据权利要求4所述的盖板预封装方法，其特征在于，所述阻挡层(105)为二氧化硅和/或氮化硅。
6.根据权利要求5所述的盖板预封装方法，其特征在于，在所述预封装盖板(104)中形成多个背面空腔(106)或者正面空腔(107)的工艺为干法刻蚀或者湿法刻蚀。
7.根据权利要求6所述的盖板预封装方法，其特征在于，采用黏合剂将所述预封装盖板(104)与所述器件基底(101)键合在一起。
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