[发明专利]一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种工艺处理方法，尤其涉及一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法。

背景技术

在半导体制造工艺中在进行对孔的深度检测与孔的孔内径形貌检测是比较困难的事，但又是一项必不可少的检测项目，目前现有对于孔深度和孔径大小的检测方法包括三类，例如：

第一种方法是切片，通过观察其剖面影像（如图1所示），来进行深度以及宽度的测定。这种方法量测得到的数据最为直观，最为准确。但是这种方法由于对晶片带来物理上的破坏，从而增加了成本，并且，由于切片分析周期一般也需要半天到一天时间，这样不利于问题的及时发现和处理；

第二种方法是用原子力显微镜进行量测，原子力显微镜对于深宽比较低的测量点，数据精度尚能接受。但是对于深宽比较高的量测点，例如在深宽比大于4的情况下，其测量精度往往不能保证，这样对精益化工艺是不利的，而且量测高深宽比测量点时也容易对机台增加一些额外的成本。另一方面原子力显微镜仅仅在深度方面测量效果明显，在孔径测量方面则不行，这也是很大的局限性；

第三种方法是通过扫描式电子显微镜进行量测，这种方法可以能针对顶部孔径大小提供稳定可靠的测量值。但是对于深度测量则无法实施，对于孔内形貌的变化也无法有效的观察。另外，其量测数值随着量测机台本身的误差而会产生较大的误差。

以上的测量方法对于测量孔的孔径与深度都有所局限性，不能及时有效的完成对孔的深度与和孔径形貌及时做出判断。

发明内容

发明公开了一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法通过用以解决现有技术中对于测量孔的孔径与深度都有所局限性的问题。

为实现上述目的，发明采用的技术方案是：

一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，其中，包括以下工艺：

在所述介质膜中进行刻蚀，形成位于介质膜中的多个通孔；介质膜上面涂覆一层光刻胶，并且所述光刻胶还填充在所述多个通孔中；对所述光刻胶进行回刻直至介质膜上方的光刻胶完全移除，同时测量此刻回刻过程中的回刻时间；以及根据所述回刻时间的终结点来判断通孔的内径大小或深度是否异常。

上述的工艺方法，其中，在所述光刻胶进行回刻之后再对通孔中所填充的光刻胶进行刻蚀。

上述的工艺方法，其中，对孔内光刻胶的回刻,所述回刻过程中的回刻时间为固定不变。

上述的工艺方法，其中，所述回刻时间的标准范围在18至22秒之间。

本发明的通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，采用了如下方案具有以下效果，本项目通过检测光刻胶回刻所反应的终结点时间的方法来对孔的深度和孔的形貌是否正常进行判断。

附图说明

通过阅读参照如下附图对非限制性实施例所作的详细描述，发明的其它特征，目的和优点将会变得更明显。

图1为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法的切片观察影像；

图2A为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法正常情况下光刻胶后的立体示意图；

图2B为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法正常情况下光刻胶后的平面示意图；

图3A为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法正常情况下光刻胶后回刻的立体示意图；

图3B为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法正常情况下光刻胶后回刻的平面示意图；

图4A为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法的异常情况中孔没有达到规定深度的示意图；

图4B为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法的异常情况中孔径形貌异常的示意图。

图5为本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法的光刻胶回刻反应终结点的监控示意图。

参看图序：介质膜1、通孔2、光刻胶3。

具体实施方式

为了使发明实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本发明。