[发明专利]一种对工艺反应腔室进行检漏的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种对工艺反应腔室进行检漏的方法。

背景技术

工艺腔室（process chamber, 简称chamber）为硅片提供特定的工艺环境，通常工作环境要求有一定的真空度，所以要求工艺腔室具有很好的密封效果，不能有漏，否则反应气体接触大气，会产生严重的颗粒问题从而导致硅片报废。

目前业界通用的对工艺反应腔室进行检漏的方法为人工停机人工检测，频率一般为每周（七天）一次。这种检漏方法不仅会带来人力资源的消耗和机时的浪费，且检测频率远不能覆盖产能所带来的硅片风险。

发明内容

本发明公开了一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，晶圆的制备流程在所述工艺反应腔室中进行，包括以下步骤：

步骤1，在晶圆送入工艺反应腔室内之前，将工艺反应腔室内的气压降至底压，设定此时的底压值为标准底压值；

步骤2，保持所述工艺反应腔室内的气压为底压持续一段时间后，检测所述工艺反应腔室内的气压值；

步骤3，若步骤2中所述工艺腔室内的气压值小于标准低压值，则开始将晶圆送入工艺反应腔室进行制备；

若步骤2中所述工艺腔室内的气压大于或等于所述标准低压值，且持续一段时间后所述工艺腔室内的气压仍然大于或等于所述标准低压值，则进入报警系统，同时禁止将晶圆送入工艺反应腔室。

上述的对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，所述步骤1中将工艺腔室内降至底压，即利用泵在30秒时间内抽出所述工艺腔室内的气体，以将其内的气压降至底压。

上述的对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，所述步骤2中保持所述底压持续60秒。

上述的对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，所述步骤3中所述工艺腔室内的气压大于或等于所述标准低压值持续时间超过3秒后，进入报警系统。

上述的对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，所述标准气压值为10毫托（millitorr，简称mTorr）。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，通过在前导菜单开始前，增加特定的工艺流程，在硅片没有进入到工艺腔室前即对其进行检漏，从而避免了由于工艺腔室漏气引起反应气体接触大气，产生能导致硅片报废的严重颗粒问题，同时没有人力和机时的消耗，并且检测频率可以覆盖到产能所带来的硅片风险。

附图说明

图1是本发明对工艺反应腔室进行检漏的方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

如图1所示，本发明提供了一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，其中，包括以下步骤：

在前导菜单（On Go recipe）开始前，同时硅片在晶圆传送盒（Front Opening Unified Pod，简称FOUP）内，还没有进入工艺腔室（chamber）中时，进行步骤11，打开工艺腔室的节气门（throttle valve），通过泵在30秒内将工艺腔室内气体抽出，使工艺腔室内的气压为底压，具体的底压值可根据具体泵的能力而设定，一般为8毫托（millitorr，简称mTorr）。之后进行步骤12，关闭工艺腔室的节气门，并维持一段时间，一般维持60秒后，进行工艺腔室内的气压值测量。继续进行步骤13，将步骤12中测量出的工艺腔室内的气压值与预定的标准气压值进行对比，其中标准气压值一般设为10毫托。

若步骤12中测量的气压值小于标准气压值，即小于10毫托，则进行步骤14，开始前导菜单，以进行器件的制备工艺；若步骤12中的测量值大于或等于标准气压值，即大于或等于10毫托，则进行步骤15，即等待一段时间之后，一般超过3秒；进入步骤16，即再次测量工艺腔室内的气压值，若仍然大于或等于标准气压值，则同时进行步骤17和步骤18；步骤17为启动报警系统，告知工艺制备者工艺腔室漏气；步骤18为终止制程工艺，以免工艺腔室内的反应气体与空气接触，使器件产生严重的颗粒问题，从而导致器件的报废。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明一种对工艺反应腔室进行检漏的方法，通过在前导菜单开始前，增加特定的工艺流程，在硅片没有进入到工艺腔室前即对其进行检漏，从而避免了由于工艺腔室漏气引起反应气体接触大气，产生能导致硅片报废的严重颗粒问题，同时没有人力和机时的消耗，并且检测频率可以覆盖到产能所带来的硅片风险。

以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。