[发明专利]延长抛光布垫使用寿命的方法无效

专利信息
申请号: 201110231904.1 申请日: 2011-08-14
公开(公告)号: CN102343562A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 汪祖一;邹晓明 申请(专利权)人: 上海合晶硅材料有限公司
主分类号: B24D13/00 分类号: B24D13/00
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 李强
地址: 201617 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 延长 抛光 使用寿命 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种延长抛光布垫使用寿命的方法。 

背景技术

随着市场竞争的日益激烈,生产成本已成为影响硅片生产公司发展的一个重要因素。硅片生产过程中,重要的一步处理工艺是对硅片进行抛光处理。现有技术中,抛光工艺主要采用抛光布垫抛光。每次抛光加工完成后,由于硅片的化学机械抛光产生的反应物、抛光液粒子的沉淀物及抛光布垫本身的磨耗等其他物质,会使抛光布垫表面产生板结(硬化)现象,从而降低硅片的研磨速率,增加划伤硅片表面的风险。现有技术中,仅在每次抛光之后,使用水刀刷洗抛光布垫,无法彻底清除抛光布垫表面沉积的物质。现有技术中使用的抛光布垫,使用至1200min时,其移除率降低至0.7左右,研磨速率大大降低。抛光布垫使用寿命过短,成为抛光过程成本高的重要因素。 

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种提高抛光布垫使用寿命的方法。 

为实现以上目的,本发明通过以下技术方案实现: 

延长抛光布垫使用寿命的方法,其特征在于,在抛光布垫使用过程中,使用KOH水溶液清洗抛光布垫。 

优选地是,在抛光布垫使用过程中,每使用70-100分钟,使用KOH水溶液清洗抛光布垫一次。 

优选地是,所述的KOH水溶液中,KOH重量与水溶液总重量比为1∶10~30 

优选地是,使用KOH水溶液清洗抛光布垫时,采用流动的KOH水溶液冲洗抛光布垫表面,KOH水溶液的流速为0.5~2L/min;时间为1~3分钟。 

优选地是,每使用20-30分钟,使用水刀清洗抛光布垫一次。 

本发明中,利用KOH水溶液清洗抛光布垫,可有效去除抛光布垫表面沉积的物质,缓解抛光布垫表面的板结现象。使用本发明方法处理的抛光布垫使用1500分钟时的移除率,与未使用本发明方法处理的抛光布垫使用1200分钟时的移除率相同,也就是说本发明方法可将抛光布垫的使用寿命延长300分钟。 

附图说明

图1为未使用KOH水溶液清洗抛光布垫情况下生产的硅片TTV曲线。 

图2为使用KOH水溶液清洗抛光布垫情况下生产的硅片TTV曲线。 

图3为未使用KOH水溶液清洗的A生产线的抛光布垫移除率随使用时间的变化曲线及使用KOH水溶液清洗的B生产线的抛光布垫移除率随使用时间的变化曲线对比图。Y轴为TTV平均值,X轴为时间。 

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细的描述: 

各实施例中的KOH溶液的配比情况如表1所示 

表1 

抛光布垫的清洗工艺 

实施例12的清洗工艺及实施例12未使用KOH清洗的情况下分别检测抛光布垫,检测数据如下: 

从上表可以看出:A生产线与B生产线上使用的抛光布垫在使用1000分钟后,A生产线线移除17um需23分钟,移除率为0.74;B线移除17um需21分钟,移除率为0.81。从该结果可以看出使用KOH水溶液清洁抛布后,抛布的移除率下降幅度将有所缓解。 

在同一生产线上,抛光布垫每使用20分钟,再使用水刀清洗抛光布垫。,以及使用实施例14的清洗工艺清洗抛光布垫。使用KOH水溶液清洗抛光布垫和未使用KOH水溶液清洗抛光布垫的情况下,硅片划伤比例对比数据如下: 

在不同生产线上,使用实施例18的清洗工艺清洗抛光布垫,以及未使用KOH 水溶液清洗抛光布垫的情况下,硅片划伤比例对比数据如下: 

从以上结果可看出,使用KOH水溶液清洁抛布后的硅片划伤比例较不使用KOH水溶液清洁抛布前低0.30%。从该数据可以看出KOH水溶液清洁抛布对减少划伤有帮助。 

在B生产线上,1月份仅在每使用25分钟,再使用水刀清洗一次抛光布垫,未使用KOH水溶液清洗抛光布垫。在2月份,在按照实施例15工艺清洗抛光布垫。检测烧结比例的结果如下: 

从以上结果可以看出,使用KOH清洁抛布后,烧结比例未有明显变化,可以看出使用KOH清洁抛布不会导致烧结的增加。 

在B生产线上,1月份仅在每使用22分钟之后使用水刀清洗一次抛光布垫,未使用KOH水溶液清洗抛光布垫。生产的硅片TTV曲线如图1所示。其TTV(AVE)为2.9;TTV(AVE)为TTV平均值。 

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