[发明专利]一种钙钛矿型缓冲层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110231598.1 申请日: 2011-08-13
公开(公告)号: CN102299251A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 王耀;周廉;卢亚锋;李成山;于泽铭;金利华 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: H01L39/24 分类号: H01L39/24
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710016*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿型 缓冲 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿型缓冲层的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

(1)将乙酰丙酮氧钛和含有1/2个结晶水的醋酸锶按照摩尔比为1∶1的比例进行称量,然后向醋酸锶中加入体积比为1~10∶1的丙酸和乙酰丙酮的混合溶剂溶解制得溶液A,向乙酰丙酮氧钛中加入2-甲氧基乙醇溶解制得溶液B,再将上述溶液A和溶液B混合均匀,配制成乙酰丙酮氧钛和醋酸锶的摩尔浓度均为0.1mol/L~1.0mol/L的前驱液;

(2)取部分步骤(1)中所述前驱液,向前驱液中加入体积比为1~10∶1的丙酸和乙酰丙酮的混合溶剂,再加入2-甲氧基乙醇进行稀释,搅拌均匀后得到乙酰丙酮氧钛和醋酸锶的摩尔浓度均为0.003mol/L~0.05mol/L的前驱液;

(3)将步骤(2)中稀释后的前驱液以2000转/分钟~5000转/分钟的速率旋涂于用丙酮超声清洗过的基底上,旋涂时间为10s~60s,然后将旋涂前驱液后的基底置于管式炉中,于低氧环境中,以不低于50℃/min的升温速率将炉内温度从室温加热至850℃~1100℃后保温0.1h~1h,再以不低于2℃/min的降温速率冷却至室温,得到SrTiO3形核层薄膜;所述低氧环境为质量纯度为99.999%的高纯Ar,或为氧质量含量为10-10ppm~10-3ppm的Ar-H2混合气氛,或为氧质量含量为10-10ppm~10-3ppm的N2-H2混合气氛;

(4)将步骤(1)中所述前驱液以2000转/分钟~5000转/分钟的速率旋涂于步骤(3)中所述SrTiO3形核层薄膜上,旋涂时间为10s~60s,然后将旋涂前驱液后的SrTiO3形核层薄膜置于管式炉中,于低氧环境中,以不低于50℃/min的升温速率将炉内温度从室温加热至900℃~1100℃后保温0.5h~3h,再以不低于2℃/min的降温速率冷却至室温,得到钙钛矿型SrTiO3缓冲层;所述低氧环境为质量纯度为99.999%的高纯Ar,或为氧质量含量为10-10ppm~10-3ppm的Ar-H2混合气氛,或为氧质量含量为10-10ppm~10-3ppm的N2-H2混合气氛。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿型缓冲层的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述混合溶剂中丙酸和乙酰丙酮的体积比为2~5∶1。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿型缓冲层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述混合溶剂中丙酸和乙酰丙酮的体积比为2~5∶1。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿型缓冲层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述混合溶剂与2-甲氧基乙醇的体积比为3∶1。

5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿型缓冲层的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述基底为NiW基带、NdGaO3单晶基片、LaAlO3单晶基片或YSZ单晶基片,其中YSZ是指钇稳定的氧化锆。

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