[发明专利]研磨装置及研磨方法

权利要求书

1.一种研磨装置，其特征在于，包括：

底盘；

研磨头；

研磨驱动装置，连接所述底盘和研磨头，用于驱动所述研磨头以研磨置于所述底盘的待研磨器件；

终点装置，包括两个电极探头及与所述电极探头电连接的控制装置；

其中，所述两个电极探头适于测量流经其间的研磨液的电流数值，所述控制装置与所述研磨驱动装置电连接。

2.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，所述控制装置包括比较单元与所述比较单元连接的设置单元，及与所述比较单元连接的信号装置，所述比较单元将流经电极探头间的研磨液的电流数值与设置于所述设置单元内的电流阈值进行比较，并将比较结果发送至信号单元：若所述比较结果为所述流经电极探头间的研磨液的电流数值大于所述电流阈值，则所述信号单元发送停止信号至所述研磨驱动装置。

3.如权利要求2所述的研磨装置，其特征在于，所述电流阈值的范围为不小于0毫安，小于2毫安。

4.如权利要求2所述的研磨装置，其特征在于，所述控制装置还包括电源及电流表。

5.如权利要求4所述的研磨装置，其特征在于，所述电源的电压范围为大于0V，小于10V。

6.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，所述控制装置位于所述底盘内。

7.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，在测量时，所述电极探头固定或放置于所述底盘表面或待研磨的器件未研磨的表面。

8.如权利要求7所述的研磨装置，其特征在于，所述固定或放置的电极探头与所述底盘的外边缘的距离范围为2cm～10cm。

9.如权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，所述电极探头的材质为金、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂之一或组合，或者所述电极探头的表面的膜层材质为金、钌、铑、钯、银、锇、铱、铂之一或组合。

10.一种研磨方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括正面及与所述正面相对的背面，所述正面形成有半导体器件区，所述衬底内形成有互连金属插塞，所述互连金属插塞的一端与所述半导体器件区电连接，另一端位于所述衬底内；

对所述衬底的背面进行化学机械研磨，同时测量化学机械研磨液的电流数值；

若所述研磨液的电流数值大于预设的电流阈值，则停止所述化学机械研磨；

其中，所述电流阈值不小于化学机械研磨前研磨液的电流数值。

11.如权利要求10所述的研磨方法，其特征在于，所述电流阈值的范围为不小于0毫安，小于2毫安。

12.如权利要求10所述的研磨方法，其特征在于，所述对所述衬底的背面进行化学机械研磨采用的研磨装置包括：底盘及研磨头，与所述底盘与研磨头连接的研磨驱动装置；终点装置，包括两个电极探头及与所述电极探头电连接的控制装置；

其中，所述研磨头对所述背面进行研磨，所述电极探头测试研磨液内的电流数值；

所述停止所述化学机械研磨包括：所述控制装置发送停止信号至研磨驱动装置，停止所述研磨驱动装置的驱动，即停止所述化学机械研磨。

13.如权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，所述电极探头固定或放置于所述底盘表面或待研磨的器件未研磨的表面，所述电极探头与所述底盘的外边缘的距离范围为2cm～10cm。

14.如权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，所述控制装置还包括电源及电流表，所述电源的电压范围为大于0V，小于10V。