[发明专利]一种基于柔性衬底的忆阻器器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201110230879.5 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931345A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 忆阻器 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种基于柔性衬底的忆阻器器件，其特征在于，包括：
柔性衬底(100)；
形成于该柔性衬底(100)之上的下电极(101)；
形成于该下电极(101)之上的记忆存储层(102)；以及
形成于该记忆存储层(102)之上的上电极(103)。
2.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的忆阻器器件，其特征在于，所述柔性衬底(100)由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种材料构成，或者由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯共混制备的聚合物材料构成。
3.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的忆阻器器件，其特征在于，所述下电极(101)和所述上电极(103)采用导电材料Al、Cu、Ti、Ta、Ni、ITO或IZO制作而成。
4.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的忆阻器器件，其特征在于，所述记忆存储层(102)由无机材料、有机材料或非晶硅中的任意一种材料构成，或者由无机材料、有机材料或非晶硅中任意一种材料经过掺杂改性后形成的材料构成，或者由无机材料、有机材料或非晶硅中的任意两种或多种组成的双层以及多层材料构成。
5.一种基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一柔性衬底(100)；
在该柔性衬底(100)之上生长下电极(101)；
在该下电极(101)之上生长记忆存储层(102)；以及
在该记忆存储层(102)之上生长上电极(103)。
6.根据权利要求5所述的基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，所述柔性衬底(100)由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种材料构成，或者由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯共混制备的聚合物材料构成。
7.根据权利要求5所述的基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，所述下电极(101)和所述上电极(103)采用导电材料Al、Cu、Ti、Ta、Ni、ITO或IZO制作而成。
8.根据权利要求5所述的基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，所述下电极(101)和所述上电极(103)采用电子束蒸发或溅射方法形成。
9.根据权利要求5所述的基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，所述记忆存储层(102)由无机材料、有机材料或非晶硅中的任意一种材料构成，或者由无机材料、有机材料或非晶硅中任意一种材料经过掺杂改性后形成的材料构成，或者由无机材料、有机材料或非晶硅中的任意两种或多种组成的双层以及多层材料构成。
10.根据权利要求5所述的基于柔性衬底的忆阻器器件的制作方法，其特征在于，所述记忆存储层(102)采用电子束蒸发、溅射或旋涂方法形成。
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