[发明专利]氧化环境中单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法无效

专利信息
申请号: 201110230422.4 申请日: 2011-08-11
公开(公告)号: CN102339348A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 许英杰;张卫红 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 氧化 环境 单向 sic 复合材料 应力 检测 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法,具体是一种氧化环境中单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法。

背景技术

碳纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(Continuous carbon fiber reinforced silicon carbide composites,简称C/SiC)的耐高温、低密度、高比强度、高比模量等优异性能,使其逐渐接替金属成为新一代高温结构材料。C/SiC复合材料在应用中存在的一个主要问题是碳纤维在温度高于400℃的氧化环境中易于氧化。由于碳化硅基体与碳纤维束、界面之间的热膨胀系数不匹配,制备后的C/SiC复合材料的基体上通常存在许多微裂纹,这些微裂纹会成为氧化介质的流动通道,从而导致氧化介质进入复合材料内部,氧化侵蚀界面和纤维,造成材料整体性能的退化。因此高温氧化环境中服役的C/SiC复合材料,在承受服役载荷的同时,还要受到氧化介质的侵蚀,材料的应力分布不仅与服役载荷相关,还与氧化环境有着密切联系。

合理的预测氧化环境中C/SiC复合材料的细观应力,能够为材料服役过程中的损伤预判、寿命评估提供重要的理论依据,并为材料可靠性设计提供必备的技术支撑。目前,应用氧化环境中C/SiC复合材料细观应力预测的技术主要有以下两种:

文献1“R Naslain,J Lamon,R Pailler,et al.Micro/minicomposites:a useful approach to the design and development of non-oxide CMCs.Composites:Part A 30,1999,537-547”公开了一种通过实验方法测试C/SiC复合材料在氧化环境中受载时的力学行为,但是材料的制备、测试过程在时间、人力、物力上的大量损耗,限制了实验方法在材料设计中的应用。

文献2“E Lara-Curzio.Analysis of oxidation-assisted stress-rupture of continuous fiber-reinforced ceramic matrix composites at intermediate temperature.Composites:Part A 30,1999,549-554”公开了一种通过建立细观力学模型检测单向C/SiC复合材料细观应力的方法,该方法将细观力学方法应用于构型较为简单的单向C/SiC复合材料,建立其在氧化环境中的平均应力的细观力学模型,计算了氧化对材料细观应力的影响。然而,细观力学模型仅给出了氧化环境中的材料平均应力的数据结果,实际上细观应力在材料内的分布十分复杂,随着不同的区域而变化,细观力学模型缺乏对应力分布的精确描述,另外采用平均应力不可避免的降低了应力分析的准确度。

以上现有的技术中实验方法成本高、耗时长,细观力学模型精度低、缺乏对应力分布的准确描述,因此无法高效、准确的预测氧化环境中C/SiC复合材料的细观应力。

发明内容

为了克服现有的单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法应力分析准确度差的不足,本发明提供一种氧化环境中单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法。该方法应用氧化反应动力学方程模拟微结构氧化过程,得到复合材料微结构在不同氧化时刻下的几何模型;建立氧化后的微结构有限元模型,进行细观应力的有限元计算;借助于ANSYS强大的后处理功能,准确的显示细观应力场在氧化后复合材料微结构内的复杂分布,可以提高单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法应力分析的准确度。

本发明的技术方案是:一种氧化环境中单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法,其特点是包括下述步骤:

(a)根据已知的单向C/SiC复合材料的周期性微结构几何参数以及各组分材料性能,构建初始状态下的单向C/SiC复合材料周期性微结构的二维网格模型;网格模型包含孔隙网格、碳纤维束网格、碳界面网格和碳化硅基体网格;

(b)对于碳-氧气反应界面上的含碳网格,有如下的氧化反应动力学方程:

               KINCt=ρIΔx/MI,KFNCt=ρFΔx/MF    (1)

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