[发明专利]基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列及其制作方法在审
| 申请号: | 201110229863.2 | 申请日: | 2011-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN102931201A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 闫建华;朱慧珑;欧文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;H01L31/18;G02B19/00;G02B3/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 红外 平面 阵列 聚能微镜 及其 制作方法 | ||
1.一种基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,包括位于基底的多个聚能微镜单元,
所述的聚能微镜单元包括通孔、微透镜,其中,
所述通孔的上端口不小于下端口,上端口与下端口之间为通孔的侧壁;
所述微透镜覆盖在所述通孔的上端口;
其中,至少一个聚能微镜单元中包括微反射镜,
所述包括微反射镜的聚能微镜单元的通孔上端口大于下端口;
微反射镜覆盖在所述通孔的侧壁,所述微反射镜将通过微透镜入射在微反射镜上的光线反射到通孔的下端口;
所述的聚能微镜单元中通孔下端口与红外焦平面阵列的光敏吸收区对应。
2.根据权利要求1所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,多个所述聚能微镜单元中通孔的上端口紧密排列组成无空隙的平面。
3.根据权利要求2所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述聚能微镜单元中通孔的上端口为平行四边形、正方形或正六边形。
4.根据权利要求1所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中都包括微反射镜。
5.根据权利要求2所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述聚能微镜单元中通孔的下端口与上端口形状相同,通孔的侧壁包括多个平面。
6.根据权利要求2所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述聚能微镜单元中通孔的下端口为圆形,通孔的内侧壁为曲面。
7.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微透镜包括中部能够汇聚入射光的微透镜和边缘不能汇聚入射光的微透镜。
8.根据权利要求7所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元除第一通孔和第一微透镜外还包括位于基底中的第二通孔和第二微透镜,其中,
所述第二通孔的上端口与第一通孔的上端口共有一条边;
所述第二微透镜覆盖在所述第二通孔的上端口,将入射到第二微透镜上的光线全部折射到第二通孔的下端口;
所述第二通孔的下端口与红外焦平面阵列的光敏吸收区对应。
9.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中除覆盖在通孔内侧壁的第一微反射镜外,通孔上端口和微透镜之间还包括表面为反射面的第二微反射镜,该第二微反射镜垂直于基底,上端口与下端口形状相同,下端口与通孔的上端口重合。
10.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微反射镜材料是铝、铜、铁或镍合金。
11.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微透镜为折射型透镜或衍射型透镜。
12.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微透镜为凸透镜。
13.根据权利要求11所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的凸透镜材料为硅。
14.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微透镜为壳状球面状透镜或壳状平面状透镜。
15.根据权利要求1至6任一项所述的基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列,其特征在于,所述的聚能微镜单元中的微透镜材料是聚碳酸酯PC或聚苯乙烯PS。
16.一种基于红外焦平面阵列的聚能微镜阵列的制作方法,其特征在于,包括:
在基底上刻蚀出多个上端口不小于下端口的通孔,通孔的下端口与IRFPA的光敏吸收区对应;
在上端口大于下端口的通孔侧壁制作微反射镜和微反射镜保护层;
在基底的通孔内填充微透镜牺牲材料;
在填充有微透镜牺牲材料的通孔上端口制作微透镜;
释放通孔内的微透镜牺牲材料和微反射镜保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





