[发明专利]用于多晶硅生产的供料系统和方法有效
| 申请号: | 201110229802.6 | 申请日: | 2011-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN102923709A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 齐林喜;陈琳;刘占卿 | 申请(专利权)人: | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 代易宁;谭祐祥 |
| 地址: | 015543 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 多晶 生产 供料 系统 方法 | ||
1. 一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统,包括:
氢气加热器,其与氢气供给源连接,用于接收来自氢气供给源的氢气并加热氢气;
三氯氢硅汽化器,其与三氯氢硅液体供给源相连,用于将来自三氯氢硅液体供给源的三氯氢硅液体汽化为三氯氢硅气体;
至少第一和第二混合装置,每个混合装置都与氢气加热器和三氯氢硅汽化器流体连通地连接并分别从氢气加热器接收加热的氢气和从汽化器接收三氯氢硅气体,其中第一混合装置按照第一预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第一进料混合气,且第二混合装置按照第二预定配比将接收的氢气和三氯氢硅气体混合为第二进料混合气;
至少第一和第二还原炉,分别与至少第一和第二混合装置流体连通地连接,以便第一混合装置将第一进料混合气提供到第一还原炉,并且第二混合装置将第二进料混合气提供到第二还原炉。
2. 根据权利要求1所述的供料系统,其特征在于,所述第一预定配比不同于所述第二预定配比。
3. 根据权利要求1所述的供料系统,其特征在于,第一预定配比和第二预定配比各自都是可变化的。
4. 根据权利要求3所述的供料系统,其特征在于,第一预定配比和第二预定配比根据相应的第一和第二还原炉的生产阶段而变化。
5. 根据权利要求1所述的供料系统,其特征在于,所述供料系统还包括:将氢气加热器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一氢气供给管路和第二氢气供给管路,用于向各自混合装置分别供给加热后的氢气;以及,将三氯氢硅汽化器分别流体连通地连接到至少第一和第二混合装置的至少第一三氯氢硅供给管路和第二三氯氢硅供给管路,用于向各自混合装置分别供给三氯氢硅气体。
6. 根据权利要求5所述的供料系统,其特征在于,第一和第二氢气供给管路各自设置有氢气流量调节阀,以及第一和第二三氯氢硅供给管路上各自设置有三氯氢硅流量调节阀,相应的氢气流量调节阀和相应的三氯氢硅流量调节阀被调节以便分别在第一混合装置中产生具有第一预定配比的第一进料混合气和在第二混合装置中产生具有第二预定配比的第二进料混合气。
7. 根据权利要求6所述的供料系统,其特征在于,所述供料系统还包括控制器,其配置为与各流量调节阀通信连接,并根据对应于各自还原炉的预先确定的配比曲线来调节相应的氢气流量调节阀和三氯氢硅流量调节阀中的至少一个。
8. 根据权利要求6所述的供料系统,其特征在于,在各供给管路上分别设置流量计,用于计量通过相应管路的氢气和三氯氢硅气体之一的流量;所述供料系统还包括与各流量计和各流量调节阀通信连接的控制器,所述控制器配置为根据第一预定配比控制第一氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第一三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第一进料混合气,根据第二预定配比控制第二氢气供给管路上的氢气流量调节阀和第二三氯氢硅供给管路上的三氯氢硅流量调节阀以便提供第二进料混合气,并且根据来自各自管路上的各流量计的信号反馈控制相应的流量调节阀。
9. 根据权利要求1-8中任意一项所述的供料系统,其特征在于,第一预定配比和第二预定配比在6:1至4:1之间的范围内变化。
10. 根据权利要求1-8中任意一项所述的供料系统,其特征在于,所述第一和第二混合装置是静态混合器。
11. 一种用于多晶硅生产还原炉的供料系统,包括:
多个还原炉;
多个静态混合器,其中每个静态混合器的出口流体连通地连接到多个还原炉中相应一个的进料口;
氢气加热器,通过第一组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第一入口,并将氢气分别供给到每个静态混合器,其中所述第一组供给管路包括多个第一供给通道,每个第一供给通道将氢气加热器流体连通地连接到相应的一个静态混合器的第一入口;
三氯氢硅汽化器,通过第二组供给管路连接到多个静态混合器中的每一个的第二入口,并将汽化后的三氯氢硅气体分别供给到每个静态混合器,其中所述第二组供给管路包括多个第二供给通道,每个第二供给通道将三氯氢硅汽化器连通地连接到相应的一个静态混合器的第二入口;
其中各静态混合器能够以不同的氢气和三氯氢硅的配比将氢气和三氯氢硅气体混合并将其供给到各相应的还原炉中。
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