[发明专利]电压检测电路有效
申请号: | 201110229489.6 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102288810A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 田文博;王钊;李展 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165;G01R31/28;G01R31/303 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 岳强;吴锦伟 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 检测 电路 | ||
1.一种电压检测电路,其特征在于,其包括:
第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管和一个或多个第一开关器件、一个或多个第二开关器件、一个或多个第三器件开关和一个或多个第四开关器件,第一开关器件的导通和截止和第二开关器件的导通和截止相反,第三开关器件的导通和截止和第四开关器件的导通和截止相反,第一开关器件和第三开关器件不能同时导通,
在第一开关器件导通时,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管形成一过压电压检测电路;
在第三开关器件导通时,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管形成一过流电压检测电路。
2.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,
在第一开关器件导通时,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管形成第一电流偏置电路,基于第三双极型晶体管形成第一比较电路,第一电流偏置电路为所述第一比较电路提供偏置电流;
在第三开关器件导通时,基于第三双极型晶体管形成第二电流偏置电路,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管形成第二比较电路,所述第二电流偏置电路为第二比较电路提供偏置电流。
3.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,其还包括电阻R1、R2、R3、R4和R5,输出级A1和A2,电流源IB,
在第一开关器件导通时,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电阻R1形成所述第一电流偏置电路,基于第三双极型晶体管、电阻R2和输出级A1形成所述第一比较电路,电阻R3和R4形成分压电路,所述分压电路为第一比较电路提供第一检测输入电压;
在第三开关器件导通时,基于第三双极型晶体管和电阻R3形成第二电流偏置电路,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电流源IB、电阻R5和输出级A2形成第二比较电路。
4.根据权利要求3所述的电压检测电路,其特征在于,其还包括PMOS晶体管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PLS1和PLS2,NMOS晶体管NM1、NM2和NM3,
在第一开关器件导通时,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电阻R1、NMOS晶体管NM1和NM2、PMOS晶体管PM1、PM2和PM3形成所述第一电流偏置电路,PMOS晶体管PM1、PM2和PM3形成电流镜;
在第三开关器件导通时,基于第三双极型晶体管、NMOS晶体管MN3、电阻R3、PMOS晶体管PM1、PM3、PM4和PM5形成第二电流偏置电路,基于第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电流源IB、PMOS晶体管PLS1和PLS2、电阻R5、输出级A2形成第二比较电路,PMOS晶体管PM1、PM3、PM4和PM5形成电流镜,PMOS晶体管PLS1和PLS2分别对第二检测输入电压和地进行电平移动。
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