[发明专利]直流电机正反转控制电路结构

权利要求书

1.一种直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的直流电机正反转控制装置包括上位机单元、单片机单元、正反转控制电路单元、电源单元、过流保护单元和直流电机，所述的上位机单元连接所述的单片机单元，所述的单片机单元还通过所述的正反转控制电路单元连接直流电机，所述的电源单元连接所述的正反转控制电路单元，所述的过流保护单元分别连接所述的直流电机、正反转控制电路单元和单片机单元。

2.根据权利要求1所述的直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的正反转控制电路包括正转电源端、正转驱动端、反转电源端和反转驱动端，所述的正转电源端和反转电源端均连接所述的电源单元，并分别连接于所述的直流电机的两侧，所述的正转驱动端连接于所述的正转电源端与直流电机之间，所述的反转驱动端连接于所述的反转电源端与直流电机之间，所述的正转驱动端和反转驱动端均连接所述的单片机，所述的正反转控制电路还包括第二运行子电路和第一运行子电路，所述的第二运行子电路的一端连接于所述的直流电机和反转电源端之间，其另一端接地，所述的第一运行子电路的一端连接于所述的直流电机和正转电源端之间，其另一端接地。

3.根据权利要求2所述的直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的第二运行子电路包括第二正温度系数热敏电阻(PTC2)和第二场效应晶体管(Q4)，所述的第二正温度系数热敏电阻(PTC2)连接于所述的第二场效应晶体管(Q4)的源极与栅极之间，所述的第二场效应晶体管(Q4)的栅极连通其漏极，所述的第二正温度系数热敏电阻(PTC2)的一端还连接于所述的直流电机和反转电源端之间，该第二正温度系数热敏电阻(PTC2)的另一端连接接地端。

4.根据权利要求3所述的直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的第二运行子电路还包括第二电流检测电阻(R5)，所述的第二电流检测电阻(R5)串接于所述的第二正温度系数热敏电阻(PTC2)和接地端之间，所述的过流保护单元具有一电流信号输入端，所述的电流信号输入端连接于所述的第二电流检测电阻(R5)和第二正温度系数热敏电阻(PTC2)之间的正转电流检测位置。

5.根据权利要求2所述的直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的第一运行子电路均包括第一正温度系数热敏电阻(PTC1)和第一场效应晶体管(Q3)，所述的第一正温度系数热敏电阻(PTC1)连接于所述的第一场效应晶体管(Q3)的源极与栅极之间，所述的第一场效应晶体管(Q3)的栅极连通其漏极，所述的第一正温度系数热敏电阻(PTC1)的一端还连接于所述的直流电机和正转电源端之间，该第一正温度系数热敏电阻(PTC1)的另一端连接接地端。

6.根据权利要求5所述的直流电机正反转控制电路结构，其特征在于，所述的第一运行子电路均包括第一电流检测电阻(R4)，所述的第一电流检测电阻(R4)串接于所述的第一正温度系数热敏电阻(PTC1)和接地端之间，所述的过流保护单元具有一电流信号输入端，所述的电流信号输入端连接于所述的第一电流检测电阻(R4)和第一正温度系数热敏电阻(PTC1)之间的反转电流检测位置。