[发明专利]一种光刻工艺验证方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说是涉及一种光刻工艺验证方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，用于硅半导体集成电路制作的晶圆尺寸逐渐增大，因此对于各膜层次在晶圆上的均匀性有了更高的要求，而晶圆表面的平坦度是影响各膜的均匀性以及后续的光刻工艺的主要因素。

主流的半导体工艺制程主要采用浅沟槽隔离STI技术，利用化学机械平坦化CMP技术对晶圆表面进行研磨，但是由于CMP机台限制，对于晶圆边沿处往往研磨均匀性差，从而使得在进行光刻后形成的图形中，在晶圆平坦度较差的区域就会出现图形异常，而现有的光刻工艺验证方法，只是对光刻后的图形进行常规的电路设计规则检查，验证图形宽度最小，即等于关键尺寸的地方，若该图形正常，则认为光刻工艺合格，可继续进行后续的生产，但是由于光刻后的图形是多样化的，且异常图形往往是不规则的，因此采用现有的这种方式进行验证，准确度不高，误差较大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种光刻工艺验证方法和系统，用以解决现有技术中光刻工艺验证准确度不高，误差较大的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种光刻工艺验证方法，所述方法包括：

确定晶圆的关键尺寸；

根据所述关键尺寸确定光刻图形中图形尺寸等于所述关键尺寸的图形并进行扫描；

根据所述关键尺寸确定晶圆边缘区域处的图形并进行扫描；

根据扫描结果判断扫描图形是否存在异常，若是，则确定光刻工艺不合格，若否，则确定光刻工艺合格。

优选地，所述根据所述关键尺寸确定晶圆边缘区域的图形并进行扫描具体为：

根据所述关键尺寸确定光刻图形间的间距等于所述关键尺寸的图形区域和/或光刻图形尺寸大于预定倍数的关键尺寸的图形区域，并对所述两个图形区域上的图形或两个图形区域之一上的图形进行扫描。

优选地，所述光刻图形尺寸大于预定倍数的关键尺寸的区域，具体为光刻图形尺寸大于3倍的关键尺寸的区域。

优选地，当图形存在异常时，确定光刻工艺不合格，所述方法还包括：

重新定义光刻工艺参数，对图形存在异常的晶圆重新进行光刻。

优选地，所述光刻工艺参数包括光刻胶的厚度和黏度、曝光能量和焦距以及显影液用量和/或显影时间。

一种光刻工艺验证系统，所述系统包括：

第一确定模块，用于确定晶圆的关键尺寸；

第二确定模块，用于根据所述关键尺寸确定光刻图形中图形尺寸等于所述关键尺寸的图形；

第三确定模块，用于根据所述关键尺寸确定晶圆边缘区域上的图形；

扫描模块，用于扫描所述第一确定模块和第二确定模块确定的图形；

判断模块，用于根据所述扫描模块的扫描结果判断图形是否存在异常；

第四确定模块，用于当所述判断模块结果为是，确定光刻工艺不合格，当所述判断模块结果为否时，确定光刻工艺合格。

优选地，所述第一确定模块具体用于根据所述关键尺寸确定光刻图形间的间距等于所述关键尺寸的图形区域以及光刻图形尺寸大于预定倍数的关键尺寸的图形区域，则，

所述扫描模块具体是用于扫描所述光刻图形间距等于所述关键尺寸的图形区域上的图形和/或光刻图形尺寸大于预定倍数的关键尺寸的图形区域上的图形。

优选地，所述光刻图形大于预定倍数的关键尺寸的图形区域，具体为光刻图形大于3倍的关键尺寸的图形区域。

优选地，所述系统还包括：

定义模块，用于重新确定光刻工艺参数，对图形存在异常的晶圆重新进行光刻。

优选地，所述扫描模块为电子扫描显微镜。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供了一种光刻工艺验证方法和系统，根据确定的晶圆的关键尺寸，确定光刻图形中图形尺寸等于所述关键尺寸的图形对其进行扫描，并确定晶圆边缘区域上的图形对其进行扫描，由于晶圆边缘区域由于平坦度问题容易出现异常图形，本发明也对晶圆边缘区域图形的验证，因而提高了验证的准确度，减少了验证误差。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种光刻工艺验证方法一个实施例的流程图；