[发明专利]微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种微晶半导体膜的制造方法，包括如下步骤：

在绝缘膜上形成包括其间设有空隙的混合相微粒的晶种；

在所述晶种上形成第一微晶半导体膜，以使所述混合相微粒生长而填埋设在所述混合相微粒之间的空隙；以及

在所述第一微晶半导体膜上形成第二微晶半导体膜，而不扩大设在所述第一微晶半导体膜所包含的所述混合相微粒之间的空隙。

2.一种微晶半导体膜的制造方法，包括如下步骤：

在将氢流量设定为含有硅的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，且将处理室内的压力设定为大于67Pa且13332Pa以下的第一条件下，通过等离子体CVD法在绝缘膜上形成晶种；

在将氢流量设定为含有硅的沉积气体流量的100倍以上且2000倍以下来稀释沉积气体，且将所述处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下的第二条件下，通过等离子体CVD法在所述晶种上形成第一微晶半导体膜；以及

在使含有硅的沉积气体与氢的流量比交替增减，将氢和含有硅的沉积气体供应到上述处理室内，并且将该处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下的第三条件下，通过等离子体CVD法在所述第一微晶半导体膜上形成第二微晶半导体膜。

3.根据权利要求2所述的微晶半导体膜的制造方法，其中所述晶种包括具有非晶区和雏晶的双方的微粒。

4.一种半导体装置的制造方法，该方法利用根据权利要求2所述的微晶半导体膜的制造方法。

5.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底及所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在第一条件下，在所述栅极绝缘膜上形成晶种；

在第二条件下，在所述晶种上形成第一微晶半导体膜；

在第三条件下，在所述第一微晶半导体膜上形成第二微晶半导体膜；

在所述第二微晶半导体膜上形成具有微晶半导体区及非晶半导体区的半导体膜；

在所述半导体膜上形成第一杂质半导体膜；

对所述第一杂质半导体膜的一部分进行蚀刻来形成岛状第二杂质半导体膜；

对所述晶种的一部分、所述第一微晶半导体膜的一部分、所述第二微晶半导体膜的一部分及所述半导体模的一部分进行蚀刻来形成岛状第一半导体叠层体；

在所述岛状第二杂质半导体膜上形成用作源电极及漏电极的布线；以及

对所述岛状第二杂质半导体膜进行蚀刻来形成用作源区及漏区的一对杂质半导体膜，

其中，所述第一条件是将氢的流量设定为含有硅的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，且将处理室内的压力设定为67Pa以上且13332Pa以下的条件，

并且，所述第二条件是将氢的流量设定为含有硅的沉积气体流量的100倍以上且2000倍以下来稀释沉积气体，且将所述处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下的条件，

并且，所述第三条件是使含有硅的沉积气体与氢的流量比交替增减，将氢和含有硅的沉积气体供应到所述处理室内，并且将该处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下的条件。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述岛状第一半导体叠层体之后，且在形成所述布线之前，将所述岛状第一半导体叠层体的侧面暴露于等离子体来在所述岛状第一半导体叠层体的侧面形成势垒区。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：

对所述岛状第一半导体叠层体的一部分进行蚀刻来形成层叠有微晶半导体区及一对非晶半导体区的第二半导体叠层体；

在所述布线、所述一对杂质半导体膜、所述第二半导体叠层体及所述栅极绝缘膜上形成绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上形成背栅电极及像素电极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述栅电极与所述背栅电极基本上平行。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述栅电极与所述背栅电极连接在一起。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述背栅电极处于浮动状态。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述背栅电极及所述像素电极同时形成。