[发明专利]串列式快闪存储器的抹除方法

说明书

技术领域

本发明系关于一种快闪存储器(flash memory)的抹除(erase)方法，特别系有关串列式快闪存储器(serial flash memory)的抹除方法。

背景技术

串列周边介面快闪存储器(serial peripheral interface flash，SPI Flash)具有复数个区块(block)，每一个区块包括复数个扇区(sector)，而每一扇区包括复数个存储单元(cell)。当进行区块抹除时，除了保护区域(protected area)以外，每一个扇区的P型井区(p-well)和字元线(word line)将会同时被施加一负偏压。接着，在抹除脉冲(erasing pul se)后，将逐一检查每一扇区内的所有存储单元是否都成功被抹除。

串列周边介面快闪存储器可以进行区块抹除，亦即同时抹除一区块内的所有扇区。扇区的抹除次数是有上限的，通常扇区的抹除次数可以在十万次以上。在经过多次抹除后，一些扇区可能会磨损(worn out)。这些磨损扇区需要更多次的抹除脉冲才能抹除成功。然而，这将造成未磨损(virgin)扇区在进行区块抹除时被过度抹除(over-erased)。

发明内容

为了解除以上问题，本发明提供一种串列式快闪存储器的区块抹除方法，可用以避免未磨损扇区在进行区块抹除时被过度抹除。

本发明提供一种串列式快闪存储器的抹除方法，包括以下步骤：提供欲抹除的一区块，其中上述区块包括N个扇区，N为一正整数；对上述区块执行一前程式化程序；施加一抹除脉冲于上述区块；选择上述N个扇区的最先者做为一待测扇区；判断上述待测扇区是否通过一扇区抹除验证；若上述待测扇区通过上述扇区抹除验证，检查上述待测扇区的复数个位元组存储单元，并将上述待测扇区的一扇区地址储存于一暂存器中；若上述待测扇区未通过上述扇区抹除验证，选择上述N个扇区的下一者以更新上述待测扇区，并检查上述暂存器，移除上述N个扇区中已通过上述扇区抹除验证的扇区的复数个字元线的一负偏压，且施加上述抹除脉冲于上述区块。检查上述暂存器以判断是否上述N个扇区皆通过上述扇区抹除验证；以及若上述N个扇区皆通过上述扇区抹除验证，对上述区块执行一后程式化程序。

附图说明

图1A系显示根据本发明一实施例所述的串列周边介面快闪存储器的区块的示意图；

图1B系显示根据本发明一实施例所述的扇区的示意图；

图2A、图2B系显示根据本发明一实施例所述的串列式快闪存储器抹除方法的流程图；

图3系显示根据本发明一实施例所述的步骤S250的详细流程图；

图4系显示根据本发明一实施例所述的步骤S270的详细流程图。

主要元件符号说明：

100～区块；

200～流程图；

SEC1、SEC2、…、SECN～扇区；

BU1、BU2、…、BUM～位元组存储单元。

具体实施方式

图1A系显示根据本发明一实施例所述的串列周边介面快闪存储器的区块100的示意图。如图1A所示，区块100可以包括N个扇区SEC1、SEC2、…、SECN，其中N为一正整数，通常是16。

图1B系显示根据本发明一实施例所述的扇区SEC1的示意图。如图1B所示，扇区SEC1可以包括复数个位元组存储单元BU1、BU2、…、BUM，其中M为一正整数，而每个位元组存储单元包括8个(1byte)的存储单元。值得注意的是，虽然图1B仅显示扇区SEC1，事实上所有N个扇区SEC1、SEC2、…、SECN皆分别包括复数个位元组存储单元BU1、BU2、…、BUM。

图2A、图2B系显示根据本发明一实施例所述的串列式快闪存储器抹除方法的流程图200。首先开始，在步骤S210，提供欲抹除的区块100，区块100包括N个扇区SEC1、SEC2、…、SECN。在步骤S220，对区块100执行前程式化程序(Pre-program)。然后，在步骤S230，施加抹除脉冲于区块100，用以同时抹除区块100内的N个扇区SEC1、SEC2、…、SECN。在步骤S240，选择N个扇区SEC1、SEC2、…、SECN的次序最先者做为待测扇区，例如：区块100中的扇区SEC1即为次序最先者。接着，在步骤S250，判断选择的待测扇区是否通过扇区抹除验证？

若是，在步骤S270，检查待测扇区的复数个位元组存储单元BU1、BU2、…、BUM，并将待测扇区的扇区地址储存于一暂存器中，其中暂存器可为存储器。