[发明专利]一种电磁发射机及其控制方法无效

专利信息
申请号: 201110228311.X 申请日: 2011-08-10
公开(公告)号: CN102291011A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 张一鸣;何鹏飞;余飞;陈东升 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁 发射机 及其 控制 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及的一种电磁发射机属电力电子整流逆变器。

背景技术

电磁发射机是通过利用地面电法来详查矿体的设备。地面电法即由电磁发射机向大地注射频率变化的大电流,然后再接收地球电磁场响应来获取地下地质体或矿体电导率分布信息,来构建地下介质电导率的结构特征。金属矿通常具有良好的导电性,因此电磁法是寻找金属矿最为有效的地球物理勘探手段。

随着现代电力电子技术和器件的快速发展,电磁发射机主电路的拓扑结构也在发生变化。最常用的是二极管不控整流桥和H型逆变桥。二极管不控整流桥完成从交流到直流的变换;H型逆变桥执行发射,功率开关器件H1和H4导通时实施正发射,功率开关器件H2和H3导通时实施负发射;并且稳定发射电流的措施是通过调节发电机的励磁电流完成的。但励磁稳流不仅会导致发电机转速不稳造成电压波动过大,响应时间慢,稳流效果有限,而且发射电流的关断时间也将延长。Zonge公司的GGT系列发射机采用半控型的晶闸管替代了不控型的大功率二极管,通过控制和调节晶闸管的开通时刻,达到稳定发射电流的目的。但也存在谐波及无功功率高的问题。

电磁发射机作为电法勘探仪器场源的产生装置,其发射波形的质量对探测结果的影响显而易见。另外,基于交流电源供电的电磁发射机,在输出功率越来越大的同时,也要求发射系统重量轻、体积小。因此,电磁发射机性能的提高主要受制于以下两个方面:发射电流性能的提升以及功率密度的提高。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足,从提高电磁发射机发射电流性能以及功率密度的角度出发,研制一种电磁发射机及其控制方法。该电磁发射机可提高稳流精度,发射系统的功率密度。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种电磁发射机,其特征在于:包括发电机组、Y型整流桥、滤波电容、H型逆变桥、DSP处理器、过零同步检测电路、电流检测电路、信号调理电路;所述发电机组、Y型整流桥、滤波电容、H型逆变桥依次连接;DSP处理器的输出端与Y型整流桥的输入端相连接;过零同步检测电路的一端接发电机组的一相输出,另一端接DSP处理器;

有三路电流检测电路的一端与分别与三路信号调理电路的一端相连接,其中两路电流检测电路的另一端分别接发电机组的任意两相输出、另外一路电流检测电路的另一端连接H型逆变桥的输出,信号调理电路的另一端均与DSP处理器相连接;该发射机是由发电机组供电,将发电机组输出电压输入到Y型整流桥中;整流桥输出经电容滤波后的直流母线电压再输入到H型逆变桥中;然后H型逆变桥发射输出恒定电流;过零同步检测电路采集发电机组输出的频率信号后输入到DSP处理器;电流检测电路采集发电机组的a相、b相相电流,经信号调理电路输入到DSP处理器;最后由另一电流检测电路采集发射输出端的电流,经另一信号调理电路作为反馈信号,由DSP处理器接收、处理、计算输出分别控制Y型整流桥中开关管开通和关断PWM波的占空比。

所述的电磁发射机的控制方法,其特征在于:包括电流外环控制、电流内环控制、脉宽调制控制;所述电流外环控制包括第一PI调节器;所述电流内环控制包括第二PI调节器、矢量旋转变换、乘法器、第三PI调节器;所述脉宽调制控制包括坐标变换、脉宽调制;

该控制方法用于发射机工作于正发射或负发射时(H1、H4导通为正发射,H2、H3导通为负发射),将经过电流检测电路以及信号调理电路输出的发射电流信号与指定电流信号经第一PI调节器调节后,与经过矢量旋转变换的一路输入电流信号输入到第二PI调节器进行调节,第一PI调节器的输出还经乘法器后与经过矢量旋转变换的另一路输入电流信号输入到第三PI调节器进行调节,然后将第二、第三PI调节器的输出进行坐标变换,最后经过脉宽调制后输出控制Y型整流桥中开关管开通和关断PWM波的占空比,稳定发射电流;上述过程均在DSP处理器中完成。

所述的电磁发射机,其特征是:还包括电压检测电路、信号调理电路;

电压检测电路的一端与信号调理电路相连接,电压检测电路的另一端接滤波电容的输出,信号调理电路的另一端接DSP处理器;电压检测电路、信号调理电路用于采集直流母线电压作为反馈信号,由DSP处理器接收、处理、计算输出分别控制Y型整流桥中开关管开通和关断PWM波的占空比。

所述的控制方法还包括电压外环控制、电流内环控制、脉宽调制控制;所述电压外环控制包括第四PI调节器;所述电流内环控制包括第五PI调节器、矢量旋转变换、乘法器、第六PI调节器;所述脉宽调制控制包括坐标变换、脉宽调制;

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