[发明专利]一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式在审
申请号: | 201110228262.X | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN102931050A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 王守国;贾少霞;赵玲利 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B7/00;H05H1/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 常压 等离子体 自由基 清洗 喷枪 方式 | ||
1.一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,由三层隔板组成,喷枪上端为进气口,下端为喷口,周围用金属板密闭,等离子体放电电极由射频电极和接地电极组成,喷枪等离子放电对进气均匀性要求严格,本发明设计的喷枪进气方式以降低气流冲击力为前提,使气体均匀进入喷枪放电缝隙,保证放电均匀稳定,其特征在于:进气方式由三层金属板组成,三层隔板不同位置开缝隙,形成缝隙交错间隔的格局,当工作气体进入喷枪后,先通过第一层隔板,第一层隔板两侧开狭缝,气流在第一层隔板的阻挡下,冲击力下降,并从两侧缝隙流出,第二层隔板中间开狭缝,从第一层隔板进入的工作气体被第二层隔板阻挡,形成涡流,冲击力再次下降,气流流速逐渐均匀,第三层隔板与第一层隔板一样,两侧开狭缝,气流被第三层隔板均匀分流到两侧流出进气系统,进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
2.如权利1所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:由三层不同位置开缝隙的金属隔板组成,第一层隔板和第三层隔板两侧各开0.5mm的缝隙,第二层隔板中间开1mm的缝隙,第一层和第二层隔板作用是降低气流冲击力,第三层隔板的作用是均匀分流工作气体。
3.如权利1所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:三层隔板的制作简单,另外由于隔板采用金属材料,不会对放电工作气体造成有机物污染。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造