[发明专利]半导体晶圆的清洗装置及其清洗方法无效
| 申请号： | 201110228144.9 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102921656A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 顾英 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B7/04;B08B1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 清洗 装置 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆的清洗装置，其特征在于，包括：
水温控制模块，其控制用于清洗所述半导体晶圆的水于42℃至48℃之间。
2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述水温控制模块控制所述用于清洗所述半导体晶圆的水基本在45℃。
3.如权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括喷水装置，所述水温控制模块控制该喷水装置所喷射出的清洗所述半导体晶圆的水的温度。
4.如权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述喷水装置包括喷射头和喷射头臂。
5.如权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括清洗刷；所述清洗刷包括刷头和刷头臂。
6.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，用于清洗所述半导体晶圆的水被设置在42℃至48℃。
7.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，用于清洗所述半导体晶圆的水基本被设置在45℃。
8.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，还包括步骤：
提供欲清洗的所述半导体晶圆；以及
通过喷水装置向所述半导体晶圆表面喷射所述水。
9.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述水为去离子水。
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