[发明专利]防止晶片滑片的化学机械研磨方法有效
申请号: | 201110228134.5 | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN102922411A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 范怡平;曾明;李万山;蔡宗成 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;高为 |
地址: | 214028 中国无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 晶片 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法,包括研磨前准备步骤,其特征在于,在所述研磨前准备步骤被延长为包括第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤,在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中,卡环的压力参数设置大于膜片的压力参数设置。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中,膜片的压力参数设置基本为0。
3.如权利要求1或2所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第二研磨前准备步骤中的卡环的压力参数设置大于所述第一研磨前准备步骤中的卡环的压力参数设置。
4.如权利要求3所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一研磨前准备步骤中的卡环的压力参数设置的范围为0.01-2磅/平方英寸,所述第二研磨前准备步骤中的卡环的压力参数设置的范围为2-10磅/平方英寸。
5.如权利要求1或2所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述第一研磨前准备步骤的时间设置在1-4秒范围,所述第二研磨前准备步骤的时间设置在1-4秒范围。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中,卡环的压力参数设置大于内部胎管的压力参数设置。
7.如权利要求6所述的化学机械研磨方法,其特征在于,在第一研磨前准备步骤和第二研磨前准备步骤中,内部胎管的压力参数设置基本保持不变。
8.如权利要求6所述的化学机械研磨方法,其特征在于,在所述第一研磨前准备步骤中,内部胎管的压力参数设置的范围为1-2磅/平方英寸;在所述第二研磨前准备步骤中,内部胎管的压力参数设置的范围为2-4磅/平方英寸。
9.如权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于,所述化学机械研磨方法还包括预研磨步骤、主研磨步骤和边缘研磨步骤。
10.如权利要求9所述的化学机械研磨方法,其特征在于,在所述预研磨步骤、主研磨步骤和边缘研磨步骤中,卡环的压力参数设置大于膜片的压力参数设置,并且,卡环的压力参数设置大于内部胎管的压力参数设置。
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