[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110227901.0 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931129A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;李直 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有铜扩散阻挡层；
在所述铜扩散阻挡层上形成一低k介电层；
对所述低k介电层进行氧等离子体处理；
去除所述低k介电层的受损表层；
在所述低k介电层上形成一硬掩膜层；
对所述半导体衬底进行湿法清洗。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法或旋涂法形成所述低k介电层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述低k介电层的受损表层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，研磨掉的所述受损表层的厚度为200-300埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子增强化学气相沉积工艺形成所述硬掩膜层。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为TEOS基体氧化物层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗液为稀释的氢氟酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
