[发明专利]一种CVD反应腔体清洁方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺技术领域，更具体的说是涉及一种CVD反应腔体清洁方法。

背景技术

化学气相淀积(CVD，Chemical Vapor Desposition)是通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。随着半导体工业的发展，利用化学气相淀积技术生成薄膜材料在半导体工业中也有着广泛的应用。

在进行化学气相淀积的工艺工程中，随着反应的进行在反应腔体内会产生一些杂质微粒。如果不能将反应腔体内的杂质颗粒清除干净，就可能会影响CVD的制作工艺。

随着半导体工艺的发展，薄膜生产速率逐渐提高，产量的不断增大，与此同时反应腔体内的杂质颗粒也相应的增多，而现有清洁CVD反应腔体的方法清洁反应腔体后，反应腔体内的杂质颗粒仍较多，不能满足半导体工艺对精细度的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种CVD反应腔体清洁方法，该方法对反应腔体的清洁力度较强，能减少反应腔体内的杂质颗粒的数量。

为实现上述目的，本发明提供了一种CVD反应腔体清洁方法，包括：

A、按照正常清洁过程中所需的温度和压力范围，设置CVD反应腔体的温度参数和压力参数；

B、向所述反应腔体内通入清洁气体，所述清洁气体的流量由正常清洁时所需流量逐渐增大至预设流量；

C、通入预设时间的所述清洁气体后，抽去反应腔体内的所述清洁气体，以清除所述反应腔体内杂质颗粒；

D、重复步骤B和C，直至将所述反应腔体中的杂质清洁干净；

其中，在通入所述清洁气体的过程中，保持所述反应腔体内的温度和压力的变化范围在预设误差范围内。

优选的，所述清洁气体为氮气。

优选的，所述通入预设时间的所述清洁气体的过程具体为：

以正常清洁时所需的流量通入清洁气体，将通入的所述清洁气体的流量逐渐增大至预设流量，并继续以所述预设流量向反应腔体内通入清洁气体直至通入清洁气体的时间达到预设时间。

优选的，所述清洁气体的流量由正常清洁时所需的流量逐渐增大到预设流量的时间为5至6秒。

优选的，所述预设时间为20秒至30秒。

优选的，重复步骤B和C的次数为5至6次。

优选的，通入清洁气体的过程中，所述反应腔体内的温度的浮动范围在±3°内，所述反应腔体内的压力浮动范围在±10mT。

优选的，当对采用MOCVD工艺的反应腔体进行清洁时，反应腔体内的温度保持在450±3°内，压力参数为保持在3000±10mT内。

优选的，当对采用MOCVD工艺的反应腔体进行清洁时，正常清洁时所需的清洁气体的流量为500sccm；

所述预设流量大于500sccm。

优选的，所述预设流量为900sccm。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种CVD反应腔体清洁方法，在设定的温度参数和压力参数下，向反应腔体内通入清洁气体的流量由正常清洁时所需的流量逐渐增大至预设流量，在通入预设时间的清洁气体后，抽去反应腔体内的清洁气体，并重复向反应腔体内通入清洁气体和抽去清洁气体的步骤，以清除反应腔体内的杂质微粒。由于本发明在通入清洁气体时，清洁气体的流量是由正常清洁时所需的流量逐渐增大至预设流量，清洁气体的流量逐渐增大，对反应腔体内部附着的杂质颗粒的冲击力逐渐增大，增加了清洁力度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种CVD反应腔体清洁方法的一个实施例的步骤流程图；

图2为本发明一种CVD反应腔体清洁方法的另一实施例的步骤流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术中清洁CVD反应腔体内生成的杂质颗粒时，不能彻底的清除反应腔体内杂质颗粒。