[发明专利]半导体器件安全工作区测试方法和系统

权利要求书

1.一种半导体器件安全工作区测试方法，其特征在于，所述方法包括：

根据半导体器件应力测试结果，获知半导体器件在应力条件下的工作参数值和应力寿命值；

获取所述半导体器件在不同工作环境下的工作参数值；

根据每种工作环境下的工作参数值以及所述应力条件下的工作参数值和应力寿命值，计算得到每种工作环境下的寿命值；

判断所述每种工作环境下的寿命值是否符合预设标准，并根据判断结果确定半导体器件的安全工作区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不同工作环境具体为半导体器件工作在多个不同电压下，所述多个不同电压包括电器设计规则中定义的理论工作电压以及小于该理论工作电压的多个电压和理论分析不安全的电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工作参数值具体为工作电流值，所述工作电流包括漏极电流和衬底电流。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据每种工作环境下的工作参数值以及所述应力条件下的工作参数值和应力寿命值，计算得到每种工作环境下的寿命值具体为：

根据所述应力寿命值和应力条件下的工作参数以及热载流子注入退化模型得到寿命计算公式；

将每种工作环境下的工作参数值代入所述寿命计算公式，获得每种工作环境下的寿命值。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热载流子注入退化模型为：

T＝H*W*1/Id*(Ib/Id)^-m；

其中，T为寿命值，H为常量，W为半导体器件沟道宽度，Id为漏极电流，Ib为衬底电流，m为电压加速因子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据判断结果确定半导体器件的安全工作区具体为：

当寿命值符合预设标准时，则确定所述寿命值对应的电压和电流为安全工作的电压和电流；

当寿命值不符合预设标准时，则确定所述寿命值对应的电压为不安全工作的电压和电流；

根据所述安全工作的电压和电流以及不安全工作的电压和电流，确定半导体器件的安全工作区。

7.一种半导体器件安全工作区测试系统，其特征在于，所述系统包括：

第一获取模块，用于根据半导体器件应力测试结果，获知半导体器件在应力条件下的工作参数值和应力寿命值；

第二获取模块，用于获取所述半导体器件在不同工作环境下的工作参数值；

计算模块，用于根据每种工作环境下的工作参数值以及所述应力条件下的工作参数值和应力寿命值，计算得到每种工作环境下的寿命值；

判断模块，用于判断所述每种工作环境下的寿命值是否符合预设标准；

确定模块，用于根据所述判断模块的判断结果确定半导体器件安全工作区。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述不同工作环境具体为半导体器件工作在多个不同电压下，所述多个不同电压包括电器设计规则中定义的理论工作电压以及小于该理论工作电压的多个电压。

9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述计算模块包括：

第一计算单元，用于根据所述应力寿命值和应力条件下的工作参数以及热载流子注入退化模型得到寿命计算公式；

第二计算单元，用于将每种工作环境下的工作参数值代入所述寿命计算公式，获得每种工作环境下的寿命值。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述确定模块包括：

第一确定单元，用于当所述判断模块结果为是时，确定所述寿命值对应的电压和电流为安全工作的电压和电流；

第二确定单元，用于所述判断模块结果为否时，确定所述寿命值对应的电压和电流为不安全工作的电压和电流；

第三确定单元，用于根据所述安全工作的电压和电流以及所述不安全工作的电压和电流，确定半导体器件的安全工作区。