[发明专利]双发射层半球壳状有机电致发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201110226142.6 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102931357A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 半球 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光电器件领域,尤其涉及一种双发射层半球壳状有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们首次利用真空蒸镀技术把具有空穴传输性的芳香族二胺和荧光效率较高并具有电子传输性的8-羟基喹啉铝(Alq3)组合制备出了双层有机电致发光器件。器件在10V驱动电压下,发射绿光,亮度高达1000cd/m2,效率达到1.5lm/W,寿命超过1000小时。这个里程碑式的工作使人们看到了有机电致发光实用化和商业化的美好前景。
自从1994年J.Kido等人首次报道了白色有机电致发光器件(WOLEDs)以来,这方面的研究引起了人们的广泛兴趣。1995年,他们在science上报道了多发光层结构得到白光。采用了两个或三个独立的发光层发射不同颜色的光,这些不同颜色的光沿着一个方向出射的时候合成白光。现在已经发展了各种各样的器件结构来得到高效且显色性稳定的白光器件。然而,相比于半导体发光二极管LEDs,现在的白光OLED的发光效率仍然较低,并且需要进一步提高。因此,一般采用磷光发光体掺杂到荧光主体材料中以充分利用单线态和三线态发光,从而提高器件发光效率。由于三线态激子比较短的载流子寿命,在高驱动电压时,由于载流子的浓度比较高,容易导致三线态-三线态湮灭。因此,当增加磷光OLED器件的驱动电压时,会出现一个最大值,然后就急剧下降,这就阻碍了磷光OLED器件在实际中的应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以降低驱动电压的双发射层半球壳状有机电致发光器件。
一种双发射层半球壳状有机电致发光器件,包括半球壳状基底,在所述半球壳状基底的内表面依次层叠有阳极层、p型掺杂空穴传输层、电子阻挡层、蓝光发光层、绿光发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子传输层以及阴极层。
上述双发射层半球壳状有机电致发光器件,所述半球壳状基底的内径为3~10mm,且所述半球壳状基底的厚度与内径之间的厚径比为0.1~1.0。
上述双发射层半球壳状有机电致发光器件,其功能层的材料如下:
所述阳极层的材料为常用导电材料,如,氧化铟锡、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌或掺铟氧化锌;
所述p型掺杂空穴传输层的材料为空穴传输材料掺杂四氟四氰基对苯醌二甲烷、四氰基对苯醌二甲烷或三氧化钼;
所述空穴传输材料为4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4′-联苯二胺、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4′-联苯二胺;
所述电子阻挡层的材料为1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4′-联苯二胺或4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺;
所述发光层的材料为4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑掺杂发光材料;
所述蓝光发光层的材料为主体材料、红光发光材料和蓝光发光材料;其中,所述蓝光发光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱或双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱;
所述绿光发光层的材料为主体材料、红光发光材料和绿光发光材料;其中,所述绿光发光材料为所述绿光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱或乙酰丙酮二(2-苯基吡啶)合铱;
上述蓝光发光层和绿光发光层中:
所述主体材料为2,8-二(二苯磷氧基)苯并噻吩、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺与N-芳基苯并咪唑的掺杂混合材料、苯基吗琳与2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑的掺杂混合材料或者4,4′-二(9-咔唑)联苯与4,7-二苯基-1,10-菲罗啉的掺杂混合材料;所述红光发光材料为二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱或三(1-苯基-异喹啉)合铱;
所述空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-二唑、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉或N-芳基苯并咪唑;
所述n型掺杂电子传输层的材料为电子传输材料掺杂碳酸铯、叠氮化铯、氟化铯、氟化锂或碳酸锂;
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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