[发明专利]新型IC封装制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种IC封装技术，尤其涉及一种新型的IC封装工艺。

背景技术

IC封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。

目前市场上同类IC封装产品都是用塑料配件单个手工封装，封装精度差，封装速度慢，防潮性能差，不能满足需要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型的IC封装制造工艺，该工艺采用专门的压合设备、压合材料、分割设备完全替代了手工封装过程，解决了封装精度差，封装速度慢等现有技术中存在的技术问题。

为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：

一种新型IC封装制造工艺，所述的工艺包括以下步骤：

步骤1，制作IC载板；

步骤2，准备封装盖板；

步骤3，在封装盖板反面上上胶，通过机械整体压合到IC载板上；

步骤4，采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，

步骤5，通过绑定机绑定IC载板，

步骤6，在封装盖板正面覆上50Um树脂型纯胶，

步骤7，把封装玻璃通过机械整体压合在盖板上，再通过分割机切割成型。

更进一步的技术方案是：

所述的步骤3中在封装盖板反面上胶是指在封装盖板反面上50Um树脂型纯胶，并且在步骤3中进行整体压合时需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟。

所述的步骤7中，将封装玻璃通过机械整体压合在盖板上时，需要将温度控制在175度，时间控制在30分钟。

所述的步骤1包括以下步骤：

步骤1-1，底片制作，即进行光绘底片制作；

步骤1-2，开料；

步骤1-3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；

步骤1-4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；

步骤1-5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；

步骤1-6，图形转移；

步骤1-7，图形电镀；

步骤1-8，退膜；

步骤1-9，半孔加工；

步骤1-10，蚀刻；

步骤1-11，退锡；

步骤1-12，对底片进行第一次测试；

步骤1-13，阻焊；

步骤1-14，化金；

步骤1-15，对底片进行第二次测试；

所述的步骤2包括：

步骤2-1，盖板备料；

步骤2-2，盖板开料；

步骤2-3，背胶；

步骤2-4，机加工；

步骤2-5，清洗；

所述的步骤1-1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。

所述的步骤2-1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。

所述的步骤1-6中包括以下子步骤：

步骤1-6-1，磨板；

步骤1-6-2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；

步骤1-6-3，烘干后立即进行贴膜；

步骤1-6-4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。

所述的步骤1-9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。

所述的步骤1-10中，蚀刻采用CuCl₂溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：

1、各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，替代传统的单体手工封装，大大提高了封装速度；

2、封装盖板采用高精度CNC成型，代替了单体塑料件注塑方式，提高了封装精度；

3、采用晶元分割机分割整体压合的产品，提高了封装精度；

4、各部件之间采用树脂型的纯胶进行整体压合，提高了各部件之间的致密度，亦提高了封装后的防潮功能。