[发明专利]新型IC封装制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种IC封装技术，尤其涉及一种新型的IC封装工艺。

背景技术

IC封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂技对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。

IC封装的种类很多，达70多种，就现阶段在PCB业内直接接触的也非常之多，目前一种名称叫盖板模给封装PLCC非常常见，而要做好这类封装模式其关键点在于IC载板的制造方法，目前所使用的IC封装载板的制造方法由于设计步骤不合理，不能满足线条精度要求高、蚀刻线条光滑、盖板压合不变形等高标准要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型的IC封装制造工艺，该工艺步骤严谨，方法科学，解决了现有技术中存在的IC封装由于蚀刻线条不光滑盖板易变行等问题导致封装精度不高和密封效果不佳的问题。

为解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：

一种新型IC封装制造工艺，包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，

所述的底片制造工艺包括：

步骤1.1，底片制作；

步骤1.2，开料；

步骤1.3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；

步骤1.4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；

步骤1.5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；

步骤1.6，图形转移；

步骤1.7，图形电镀；

步骤1.8，退膜，

步骤1.9，半孔加工；

步骤1.10，蚀刻；

步骤1.11，退锡；

步骤1.12，阻焊；

步骤1.13，化金，完成底片的制作；

所述的盖板制造工艺包括：

步骤2.1，盖板备料；

步骤2.2，盖板开料；

步骤2.3，背胶；

步骤2.4，机加工；

步骤2.5，清洗，完成盖板的制作；

所述的底片和盖板的封装工艺包括：

步骤3.1，压合；

步骤3.2，烘烤；

步骤3.3，清洗，完成封装工艺。

为使本发明起到更好的技术效果：

更进一步的技术方案是上述的步骤1.11完成后需对底片进行第一次检测，所述的步骤1.13对底片进行第二次检测。

更进一步的技术方案是上述的步骤3.3完成后对成品进行终检，终检包括FQA和物理测试。

更进一步的技术方案是上述的步骤1.1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。其中线宽补偿方法是：公式[损失量(MIL)＝基铜(MIL)/1.2]，例如：35UM基铜其损失量为35/25.4*1.2＝1.2miL，其损失量为线宽的损失量+补偿量，该线宽可以在要求范围内调整。

更进一步的技术方案是上述的步骤2.1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。

更进一步的技术方案是上述的步骤1.6中包括以下子步骤：

步骤1.6.1，磨板；

步骤1.6.2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；

步骤1.6.3，烘干后立即进行贴膜；

步骤1.6.4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。

更进一步的技术方案是上述的步骤1.9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。

更进一步的技术方案是上述的步骤1.10中，蚀刻采用CuCl₂溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。

更进一步的技术方案是上述的步骤3.1中，压合温度控制在175摄氏度，时间控制在5分钟，压合完成后，再用平整钢板夹紧，用150摄氏度温度烘烤60分钟，冷却后再插架，以免基板变形。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：制造出来的线条精度高，蚀刻后无残铜且线条光滑，盖板不变形，无严重溢胶，盖板与主板的结合力达到10KG以上，机械加工后基板无分层，半孔无毛刺，外形边缘整齐，无粉尘。

附图说明