[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

基板，具有相对的第一表面以及第二表面；

外延层，配置于该第一表面上；以及

干涉薄膜，配置于该第二表面上，该干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成，该干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带，允许一特定波长的入射光穿透。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该特定波长介于532±10nm或1064±10nm之间。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该特定波长的入射光，其反射率小于40％。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该干涉薄膜禁止该特定波长以外的入射光穿透，且反射率大于90％。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该干涉薄膜的总层数至少大于7层。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第一材质为二氧化钛，该第二材质为二氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该干涉薄膜包括：

第一建设性干涉薄膜，是由厚度为中心波长四分之一的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成，以形成一第一止频带，该第一止频带禁止波长介于400～500nm之间的入射光穿透；以及

第二建设性干涉薄膜，位于该第一建设性干涉薄膜上，该第二建设性干涉薄膜是由厚度为中心波长四分之一的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成，以形成一第二止频带，该第二止频带禁止波长介于550～700nm之间的入射光穿透。

8.如权利要求4所述的半导体发光元件，其中该第一建设性干涉薄膜的总层数至少大于7，该第二建设性干涉薄膜的总层数至少大于7。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该干涉薄膜包括：

多个建设性干涉薄膜，是由厚度为中心波长四分之一的多层第一材质的薄膜以及多层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成，以形成多个止频带，该些止频带分别禁止波长介于400～425nm、450～520nm、550～650nm以及675～700nm之间的入射光穿透；以及

多个破坏性干涉薄膜，与该些建设性干涉薄膜交错排列，该些破坏性干涉薄膜的厚度为中心波长二分之一，允许波长介于520～550nm之间的入射光穿透。