[发明专利]半导体装置的制造工艺和半导体装置有效
| 申请号： | 201110225121.2 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102376822A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 皮特·恩格尔哈特;史蒂芬·博丁;马克西米兰·使尔夫;伯纳德·克劳德 | 申请（专利权）人： | Q-电池公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 德国比特费尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 工艺 | ||
1.一种半导体装置的制造工艺，包括下列工序：
制造半导体衬底(1)；
在半导体衬底(1)的一个半导体表面(11)上生成一个功能层(2)；并
通过从功能层(2)向半导体衬底(1)中压入掺杂材料，在半导体表面(11)上生成至少一个掺杂区(3)，
同时功能层(2)应在半导体装置制造完成后能够作为钝化层起到钝化半导体表面(11)的作用。
2.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，将掺杂材料从功能层(2)压入半导体衬底(1)的过程通过能量输入来实现。
3.根据权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，将掺杂材料从功能层(2)压入半导体衬底(1)的过程通过局部能量输入实现。
4.根据权利要求3所述的制造工艺，其特征在于，局部能量输入通过使用一个激光源来实现。
5.根据权利要求2至4之一所述的制造工艺，其特征在于，借助能量输入在功能层(2)上制造一个开口(21)，在半导体装置制造完成后作为钝化层中的钝化层开口使用。
6.根据权利要求5所述的制造工艺，其特征在于，在功能层(2)上添加有一个接触层(6)，此接触层穿过开口(21)在掺杂区与半导体衬底(1)发生电接触。
7.根据上述权利要求之一所述的制造工艺，其特征在于，掺杂材料在压入步骤前存在于构成功能层(2)材料的化合物中。
8.根据上述权利要求之一所述的制造工艺，其特征在于，功能层(2)由一种金属氧化物构成。
9.根据权利要求8所述的制造工艺，其特征在于，功能层(2)中包含氧化铝，并且掺杂材料中包含铝。
10.根据上述权利要求之一所述的制造工艺，其特征在于，半导体表面(11)上的半导体衬底(1)在生成功能层(2)之前其掺杂度与半导体衬底(1)中的整体掺杂度基本一致。
11.根据权利要求1至9之一所述的制造工艺，其特征在于，在生成功能层(2)之前，半导体表面(11)上生成掺杂区，其掺杂度通过所述从功能层(2)向衬底(1)中压入掺杂材料被局部强化和/或局部转化。
12.根据上述权利要求之一所述的制造工艺，其特征在于，半导体衬底(1)整体上为一个p型半导体或n型半导体。
13.根据上述权利要求之一所述的制造工艺，其特征在于，使用半导体衬底(1)制造半导体太阳能电池单元。
14.一种半导体装置，包括一个半导体衬底(1)和所述半导体衬底(1)的半导体表面(11)上的钝化层，其中半导体表面(11)上，至少有一个掺杂区是通过钝化层中包含的掺杂材料之一实现掺杂的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
